Tranzystory n-MOS 600/650V o dopuszczalnym prądzie drenu 47A

Vishay prezentuje nową serię \"E\" 600- i 650-woltowych tranzystorów n-MOS o dużej gęstości mocy i małym współczynniku FOM zapewniającym małe straty mocy przy pracy impulsowej. Oferta obejmuje 12 typów tranzystorów o dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu od 22 do 47A.

W stosunku do tranzystorów wcześniejszej serii \"S\" ich rezystancję RDS(on) zmniejszono o około 30%. Wynosi ona od 64 do 190mΩ przy napięciu bramka-źródło równym 10V. Tranzystory SiHxxxx są produkowane w czterech typach obudów do montażu SMT i THT: TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 i TO-263 (D2PAK).

Mogą znaleźć szerokie pole zastosowań m.in. w zasilaczach impulsowych, układach korekcji PFC, spawarkach, wycinarkach plazmowych, systemach oświetleniowych i grzejnikach indukcyjnych. Wytrzymują duże impulsy energetyczne w trybie komutacyjnym i lawinowym.