Tranzystory n-MOS o zoptymalizowanych wartościach RDS(on), Qg, Qgd i Qoss
NXP
NXP Semiconductors rozszerza ofertę tranzystorów MOSFET linii NextPower o 16 nowych modeli o napięciu znamionowym 25V (PSMNxxx-25YLC) oraz 15 nowych modeli o napięciu znamionowym 30V (PSMNxxx-30YLC), zamykanych w obudowach LFPAK (Power-SO8) o powierzchni 6 x 5mm.
Są to tranzystory n-kanałowe z możliwością sterowania bezpośrednio z wyjść układów logicznych. Podane niżej parametry kilku wybranych modeli są określane dla napięcia VGS=4,5V.
Tranzystory NextPower są optymalizowane pod kątem zapewnienia optymalnego balansu rezystancji drenu RDS(on) oraz ładunku bramki Qg, ładunku bramka-dren Qgd i ładunku wyjściowego Qoss.
Wielu producentów tranzystorów MOSFET skupia się wyłącznie na optymalizacji RDS(on) i Qg, gdy tymczasem przy małych wartościach Qg parametrami wpływającymi w znaczący sposób na straty mocy są Qgd i Qoss. Do zalet tranzystorów NextPower należy też szeroki obszar bezpiecznej pracy (SOA).
| Napięcie | RDS(on)(typ) @ VGS=4,5V |
QG(typ) @ VGS=4,5 V |
QGD(typ) @ VGS=4,5V |
COSS | |
| PSMN0R9-25YLC | 25V | 0,95 mΩ | 51 nC | 14 nC | 1437 pF |
| PSMN4R0-25YLC | 25V | 4,5 mΩ | 10,9 nC | 3,5 nC | 354 pF |
| PSMN7R5-25YLC | 25V | 8,4 mΩ | 7 nC | 2,2 nC | 255 pF |
| PSMN012-25YLC | 25V | 14,1 mΩ | 3,8 nC | 1,22 nC | 145 pF |
| PSMN1R0-30YLC | 30V | 1,1 mΩ | 50 nC | 14,6 nC | 1210 pF |
| PSMN4R5-30YLC | 30V | 5,1 mΩ | 9,6 nC | 2,85 nC | 288 pF |
| PSMN8R0-30YLC | 30V | 8,5 mΩ | 7 nC | 2,3 nC | 207 pF |
| PSMN013-30YLC | 30V | 14,4 mΩ | 4 nC | 1,2 nC | 128 pF |
