Szybki tranzystor IGBT 1200V/40A do grzejników indukcyjnych

Toshiba Electronics zapowiada nową rodzinę szybkich tranzystorów IGBT do zastosowań w grzejnikach indukcyjnych, zawierających wewnętrzną diodę regeneracyjną. Pierwszy, dostępny już model GT40QR21 charakteryzuje się napięciem znamionowym 1200V oraz dopuszczalnym prądem przewodzenia wynoszącym 40A w temperaturze +25°C i 35A w temperaturze +100°C. 

Pracuje przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C. Jest to tranzystor o krótkich czasach opadania (tf) i wyłączania (toff), wynoszących przy prądzie 40A odpowiednio 0,2 i 0,4µs oraz o czasie regeneracji (trr) wewnętrznej diody równym 0,6µs @ 15A. 

Typowe napięcie nasycenia VCE(sat) wynosi 1,9V @ 40A. GT40QR21 jest produkowany w obudowie TO-3P(N) o wymiarach 20,0 x 15,5 x 4,5mm, będącej ekwiwalentem dla standardu TO-247.