Szybki wysokoprądowy tranzystor Trench MOS o parametrach znamionowych 600V/1000A

Wysokoprądowy tranzystor APEI HT2000 opracowany wspólnie przez firmy Rohm i Arkansas Power Electronics International (APEI) został zaprojektowany do zastosowań w pojazdach o napędzie elektrycznym i hybrydowym. 

Jego konstrukcja, obejmująca 16 struktur Trench MOS wykonanych na podłożu SiC, umożliwia pracę z napięciem znamionowym 600V i dopuszczalnym prądem drenu 1000A. Ważną zaletą APEI HT2000 są bardzo krótkie czasy przełączania rzędu dziesiątek nanosekund, nieosiągalne w krzemowych tranzystorach IGBT oraz bardzo duża dopuszczalna temperatura pracy do +250°C - wszystko to osiągnięte przy stosunkowo małych wymiarach i masie. 

Pierwsze wersje próbne tranzystora APEI HT2000 do zastosowań specjalnych będą dostępne od 2012 roku, a w ciągu kolejnych 3 lat planowane jest rozpoczęcie produkcji seryjnej.