Samochodowe MOSFETy 40V/100-160A w obudowach TO
Infineon Technologies wprowadza do oferty nową serię 40-woltowych \"samochodowych\" tranzystorów MOSFET dużej mocy rodziny OptiMOS T2, zamykanych w obudowach TO-220, TO-262 i TO-263.
Są to tranzystory w 100% bezołowiowe, wykorzystujące technologię lutowania dyfuzyjnego do montażu struktur w obudowach, zapewniającą dużą niezawodność, mniejszą nawet o 40-50% rezystancję termiczną RthJC i mniejszą rezystancję kanału RDS(on).
Przykładowy model IPB160N04S4-02D o napięciu znamionowym 40V i dopuszczalnym prądzie drenu 160A charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 2mΩ i rezystancją termiczną RthJC równą 0,9 K/W.
W porównaniu z rezystancją RDS(on) standardowych tranzystorów MOSFET, w których łączenie struktury z obudową jest wykonywane w tradycyjnej technologii, współczynnik ten jest o około 20% mniejszy dla IPB160N04S4-02D.
Nowa oferta Infineon obejmuje również 100-amperowe
tranzystory MOSFET o napięciu znamionowym 40V, zamykane w obudowach
TO-263 (IPB100N04S4-02D), TO-220 (IPP100N04S4-03D) i TO-262
(IPI100N04S4-03D).
| Więcej na www.infineon.com |
