Najnowszy moduł HVIGBT Powerex QID3320004 zawiera w jednej obudowie dwa tranzystory IGBT i diody usprawniające o maksymalnej obciążalności 200 A i dopuszczalnym napięciu 3300 V. Przeznaczony jest do pracy w układach mostkowych konwerterów dużej mocy i bazuje na najnowszych chipach Mitsubishi z serii R, zapewniających niższe straty mocy i zwiększoną obciążalnością prądową w porównaniu z poprzednią generacją.
![](\"https://elektronikab2b.pl/images/stories/Jnc9MjAwJmg9Mjgw/77815:dacpol_modul_mocy_igbt_sch.jpg\")
Wszystkie elementy aktywne i złącza są odizolowane od podłoża. Dzięki temu montaż jest uproszczony a odprowadzanie ciepła zoptymalizowane. Wysokie napięcie izolacji umożliwia zastosowanie modułu w wymagających aplikacjach takich, jak napędy średniego napięcia.
