Podwójny wysokoprądowy tranzystor PairFET do zasilaczy impulsowych

Firma Alpha and Omega Semiconductor dodaje do oferty nową generację podwójnych tranzystorów PairFET adresowanych do przetwornic napięcia w wysokoprądowych zasilaczach impulsowych stosowanych w telekomunikacji i systemach komputerowych. Pierwszym elementem z tej oferty, dostępnym już w sprzedaży, jest AOE6930 z wewnętrznymi tranzystorami high-side i low-side, których rezystancje przewodzenia i charakterystyki przełączania zostały dobrane optymalnie dla zapewnienia maksymalnej sprawności przetwornicy.

Układ jest zamykany w obudowie DFN (6 x 5 mm) z wyprowadzeniem radiatora podłączonym do źródła tranzystora low-side, łączonego zazwyczaj z masą zasilacza. Testy przeprowadzone przez producenta w układach zasilania laptopów wykazały, że przy napięciu wejściowym 19,5 V i parametrach wyjściowych 1,2 V/21 A, AOE6930 pozwala uzyskać większą o ponad 1% sprawność przetwornicy i niższą o 8°C temperaturę pracy niż w przypadku innych równoważnych układów dostępnych na rynku.

Cena hurtowa AOE6930 wynosi 1,30 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.

Oznaczenie FET VDS (V) VGS (±V) RDS(ON)
maks. (mΩ)
ID (VGS=10 V) VGS(th) maks. (V) Ciss (pF) Coss (pF) Crss (pF) Qg (nC) Qgd (nC)
10.05.2016 4,5V
AOE6930 High Side 30 20 4,3 7 22 A 2,1 1075 480 55 7 2,5
Low Side 30 12 0,83 1,05 85 A 1,9 5560 1670 200 42 12

Zapytania ofertowe
Podwójny wysokoprądowy tranzystor PairFET do zasilaczy impulsowych
Zapytanie ofertowe