Specjalizowany regulator DC-DC µModule do zasilania pamięci DDR i QDR4 SRAM

Linear Technology uzupełnia ofertę impulsowych regulatorów napięcia µModule o specjalizowany model LTM4632 zaprojektowany do zasilania pamięci DDR i QDR4 SRAM. Jest to regulator trójwyjściowy z liniami zasilającymi VDDQ i VTT (0,6…2,5 V) o wydajności prądowej odpowiednio 3 A i ±3 A oraz niskoszumowym VTTR (VDDQ/2) o wydajności prądowej 10 mA.

Może być łączony równolegle, zapewniając wydajność prądową 6 A w przypadku dużych banków pamięci, a w przypadku jeszcze większych konfiguracji może współpracować z regulatorem LTM4630, zapewniając wydajność prądową od 18 do 36 A. Charakteryzuje się małym błędem napięcia wyjściowego, nieprzekraczającym ±1,5% w dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych prądów wyjściowych i temperatur.

LTM4632 akceptuje napięcia wejściowe z zakresu od 3,6 do 15 V_DC. Jest zamykany w miniaturowej obudowie LGA o wymiarach 6,25 x 6,25 x 1,82 mm. Wraz z elementami współpracującymi: pojedynczym rezystorem i trzema kondensatorami zajmuje powierzchnię 1 cm² na jednostronnej płytce drukowanej. Cena hurtowa układu wynosi od 7,35 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.