Przetwornice DC-DC do zasilania tranzystorów MOSFET z węglika krzemu
Jednym z wyzwań stojących przed układami zasilającymi tranzystory MOSFET produkowane na bazie węglika krzemu (SiC) jest duża częstotliwość i duże napięcie ich przełączania. Duża różnica potencjałów pomiędzy układem sterowania i sekcją wyjściową aplikacji z tranzystorami SiC może osłabić barierę izolacyjną, prowadząc do uszkodzenia. Firma Recom zaprojektowała specjalnie do tego typu zastosowań dwie nowe serie przetwornic DC-DC o oznaczeniach RxxP22005D i RKZ-xx2005D, charakteryzujących się dużą izolacją wynoszącą 3 i 4 kV/1 min. (RKZ-xx2005D) oraz 5,2 kVDC/1 min. (RxxP22005D).
Są one produkowane na znamionowe napięcia wejściowe 5, 12, 15 i 24 V. Zawierają niesymetryczne wyjście podwójne +20 V/-5 V. Ich dopuszczalny zakres temperatur pracy wynosi od -40 do +85°C. Sprawność sięga 87%.
| Napięcie wejściowe | Napięcie wyjściowe | Prąd wyjściowy | Sprawność (typ.) | Maks. pojemność wyjściowa | |
| R05P22005D | 5 V | +20/-5 V | +50/-200 mA | 82% | 47/680 mF |
| R12P22005D | 12 V | 82% | |||
| R15P22005D | 15 V | 83% | |||
| R24P22005D | 24 V | 84% | |||
| RKZ-052005D | 5 V | 86% | 100/1500 mF | ||
| RKZ-122005D | 12 V | 86% | |||
| RKZ-152005D | 15 V | 86% | |||
| RKZ-242005D | 24 V | 87% |
