1200-woltowe tranzystory IGBT Ultra Field Stop o małych stratach na przewodzenie i przełączanie
Firma ON Semiconductor, specjalizująca się we wprowadzaniu kolejnych innowacji mających na celu obniżenie strat mocy w elementach półprzewodnikowych, dodała do oferty serię trzech tranzystorów IGBT wyprodukowanych w technologii trench Ultra Field Stop.
NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG i NGTB40N120L3WG to tranzystory o napięciu przebicia 1200 V, zaprojektowane z myślą o ograniczeniu strat mocy do poziomu akceptowalnego w nowoczesnych aplikacjach impulsowych.
Zapewniają one jedne z najmniejszych wśród tego typu tranzystorów całkowitych strat na przełączanie (Ets), wynikających z zastosowania bardzo szerokiej i silnie domieszkowanej warstwy field-stop oraz zoptymalizowanej diody wewnętrznej.
40-amperowy NGTB40N120FL3WG charakteryzuje się współczynnikiem Ets równym 2,7 mJ, a dla 25-amperowego NGTB25N120FL3WG jest to 1,7 mJ. Dla obu wersji napięcie nasycenia VCE(sat) jest równe 1,7 V przy prądzie znamionowym.
Z kolei 40-amperowy NGTB40N120L3WG, zoptymalizowany do zapewnienia jak najmniejszych strat przy przewodzeniu charakteryzuje się napięciem nasycenia równym 1,55 V i Ets na poziomie 3 mJ. Jest on polecany do układów napędowych.
Dwa pierwsze modele są polecane do zastosowań w zasilaczach UPS i falownikach systemów fotowoltaicznych. Ceny hurtowe NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG i NGTB40N120L3WG wynoszą odpowiednio 2,02 USD, 1,76 USD i 2,12 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk. Wszystkie trzy tranzystory są zamykane w identycznych obudowach TO-247.
