Projekt referencyjny sterownika tranzystorów MOSFET/IGBT na zakres temperatur –55...

Firma Cissoid, specjalizująca się w produkcji półprzewodników wysokotemperaturowych wprowadziła do oferty projekt referencyjny dwuwyjściowego, szybkiego sterownika bramek tranzystorów, oznaczonego symbolem Hades. Może on współpracować zarówno z najnowszymi przełącznikami dużej mocy produkowanymi na podłożach SiC i GaN, jak również ze standardowymi tranzystorami MOSFET/IGBT.

Bazuje na przełącznikach wysokotemperaturowych CHT-THEMIS i CHT-ATLAS oraz układzie wysokotemperaturowego transceivera CHT-RHEA. Charakteryzuje się dopuszczalnym napięciem szyny 1200V, standardową wydajnością prądową ±4A, czasem narastania/opadania zboczy wynoszącym 10ns i częstotliwością przełączania do 150 kHz.

W przypadku konieczności pracy z prądem wyjściowym większym od ±4A, projekt referencyjny może być rozbudowany o 4 dodatkowe przełączniki CHT-ATLAS w każdym z kanałów, co pozwala na uzyskanie wydajności prądowej ±20A. Oba kanały (high-side i low-side) mogą być sterowane niezależnie od siebie lub mogą pracować w układzie półmostkowym.

Dopuszczalny zakres temperatur pracy układów scalonych zastosowanych w projekcie wynosi od -55 do +225°C. Całość umieszczono na poliimidowej płytce drukowanej o maksymalnej temperaturze pracy +200°C. Zastosowane komponenty pasywne i diody są odporne na temperatury ciągłe do +175°C (z możliwością krótkotrwałego zwiększania do +225°C w celach testowych).