stdClass Object
(
    [id] => 3437
    [categories_id] => 2742
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 
    [name] => Projekt referencyjny sterownika tranzystorów MOSFET/IGBT na zakres temperatur –55...
    [alias] => projekt-referencyjny-sterownika-tranzystorow-mosfet-igbt-na-zakres-temperatur-55
    [introtext] => 

Firma Cissoid, specjalizująca się w produkcji półprzewodników wysokotemperaturowych wprowadziła do oferty projekt referencyjny dwuwyjściowego, szybkiego sterownika bramek tranzystorów, oznaczonego symbolem Hades. Może on współpracować zarówno z najnowszymi przełącznikami dużej mocy produkowanymi na podłożach SiC i GaN, jak również ze standardowymi tranzystorami MOSFET/IGBT.

[fulltext] =>

Bazuje na przełącznikach wysokotemperaturowych CHT-THEMIS i CHT-ATLAS oraz układzie wysokotemperaturowego transceivera CHT-RHEA. Charakteryzuje się dopuszczalnym napięciem szyny 1200V, standardową wydajnością prądową ±4A, czasem narastania/opadania zboczy wynoszącym 10ns i częstotliwością przełączania do 150 kHz.

W przypadku konieczności pracy z prądem wyjściowym większym od ±4A, projekt referencyjny może być rozbudowany o 4 dodatkowe przełączniki CHT-ATLAS w każdym z kanałów, co pozwala na uzyskanie wydajności prądowej ±20A. Oba kanały (high-side i low-side) mogą być sterowane niezależnie od siebie lub mogą pracować w układzie półmostkowym.

Dopuszczalny zakres temperatur pracy układów scalonych zastosowanych w projekcie wynosi od -55 do +225°C. Całość umieszczono na poliimidowej płytce drukowanej o maksymalnej temperaturze pracy +200°C. Zastosowane komponenty pasywne i diody są odporne na temperatury ciągłe do +175°C (z możliwością krótkotrwałego zwiększania do +225°C w celach testowych).


[price] => [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2012-02-21 13:51:13 [date_created] => 2012-01-06 13:48:16 [date_publish] => 2012-01-06 13:48:16 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 0 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => http://www.cissoid.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Oprogramowanie projektowe [articleTypeId] => [articleTypeTitle] => [linkCategory] => /produkty/produkcja-elektroniki/oprogramowanie-projektowe [articleTypeListLink] => )

Projekt referencyjny sterownika tranzystorów MOSFET/IGBT na zakres temperatur –55...

Kategoria produktu: Oprogramowanie projektowe

Firma Cissoid, specjalizująca się w produkcji półprzewodników wysokotemperaturowych wprowadziła do oferty projekt referencyjny dwuwyjściowego, szybkiego sterownika bramek tranzystorów, oznaczonego symbolem Hades. Może on współpracować zarówno z najnowszymi przełącznikami dużej mocy produkowanymi na podłożach SiC i GaN, jak również ze standardowymi tranzystorami MOSFET/IGBT.

Bazuje na przełącznikach wysokotemperaturowych CHT-THEMIS i CHT-ATLAS oraz układzie wysokotemperaturowego transceivera CHT-RHEA. Charakteryzuje się dopuszczalnym napięciem szyny 1200V, standardową wydajnością prądową ±4A, czasem narastania/opadania zboczy wynoszącym 10ns i częstotliwością przełączania do 150 kHz.

W przypadku konieczności pracy z prądem wyjściowym większym od ±4A, projekt referencyjny może być rozbudowany o 4 dodatkowe przełączniki CHT-ATLAS w każdym z kanałów, co pozwala na uzyskanie wydajności prądowej ±20A. Oba kanały (high-side i low-side) mogą być sterowane niezależnie od siebie lub mogą pracować w układzie półmostkowym.

Dopuszczalny zakres temperatur pracy układów scalonych zastosowanych w projekcie wynosi od -55 do +225°C. Całość umieszczono na poliimidowej płytce drukowanej o maksymalnej temperaturze pracy +200°C. Zastosowane komponenty pasywne i diody są odporne na temperatury ciągłe do +175°C (z możliwością krótkotrwałego zwiększania do +225°C w celach testowych).