Rola architektury ARM na rynku konsol gier wideo będzie rosnąć, prognozuje firma badania rynku Semicast Research. Według Semicast ARM zamierza wykorzystać Microsoft i układy tego typu trafią do jego urządzeń przenośnych jak i do konsol gier wideo. Microsoft prawdopodobnie wybierze Nvidię jako dostawcę układów ARM do następnej generacji konsol Xbox, spekuluje Semicast Research.
Również Sony wybrało ostatnio ARM do następnej generacji przenośnych konsol PlayStation, decydując się na zmianę architektury z procesorów MIPS. Od początku układy bazujące na rdzeniach ARM wykorzystywało Nintendo, m.in. w takich produktach jak DS i 3DS. W konsolach do gry dzisiejszej generacji najczęściej wykorzystywane są procesory typu Power, przy czym Microsoft i Nintendo stosują układy opracowane przez IBM, a Sony swoje własne Cell.
MT
» LG zawarł kompleksowy kontrakt z ARM
» Milion rdzeni ARM będzie użytych w symulatorze mózgu
» ARM zainwestował w nową firmę z branży inteligentnej sieci
» ARM zwiększa przewagę na rynku cyfrowych urządzeń domowych
» Intel został partnerem ARM w układach graficznych
» Polski producent i dystrybutor elektroniki wchodzi na nowy rynek
» ARM próbuje przekonać AMD do porzucenia architektury x86
» Nvidia z własnym układem ARM zaatakuje rynek procesorów
TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.
więcej na: www.electronicsweekly.com
