Intel i IBM organizują w Nowym Jorku centrum R&D

Szereg firm półprzewodnikowych z Intelem i IBM na czele zainwestują w ciągu pięciu lat 4,4 mld dol. w utworzenie wielkiego ośrodka badań i rozwoju w Nowym Jorku, aby zająć się opracowaniem technologii układów nowych generacji, poinformował pod koniec września br. gubernator Nowego Jorku Andrew Cuomo.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Inwestycja skupi się wokół dwóch projektów, IBM wraz z partnerami zajmą się opracowaniem kolejnych dwóch generacji półprzewodników, a Intel będzie przewodniczył pracom tzw. Konsorcjum Global 450 nad rozwojem technologii procesu stosowanego na płytkach o średnicy 450mm.

Zgodnie z oświadczeniem gubernatora Cuomo, w pracach badawczo-rozwojowych prowadzonych przez Intela uczestniczyć mają IBM, TSMC, Globalfoundries i Samsung. Z kolei IBM z partnerami, Samsungiem i Globalfoundries, zajmą się opracowaniem układów w rozmiarach charakterystycznych 22nm i 14nm.

W 4,4-miliardowym projekcie udział IBM wyniesie 3,6 mld dol. Według informacji Cuomo prace badawczo-rozwojowe pozwolą utworzyć w Nowym Jorku około 4400 nowych oraz utrzymać dalsze 2600 miejsc pracy.

MT

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Intel zapłaci 6,5 mln dol. za ugodę w antymonopolowej sprawie
Rekordowy rok dla Intela
Według Nomury gorsze wyniki Intela to nie tylko kwestia twardych dysków
Intel zredukował prognozę wyników za IV kw. z powodu braku dysków twardych
Intel został partnerem ARM w układach graficznych
Samsung otworzył w Poznaniu nowe Centrum Badań i Rozwoju
CoFluent, dostawca oprogramowania ESL, trafił do Intela
Inwestycje Intela raczej w Irlandii niż w Izraelu
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Nowa fabryka CATL uruchamia próbną produkcję ogniw akumulatorowych na Węgrzech
Projektowanie i badania
Społeczność element14 Community zaprasza inżynierów do bezpłatnego przetestowania nowego komputera jednopłytkowego Arduino VENTUNO Q
Produkcja elektroniki
Foxconn finalizuje rozmowy o fabryce półprzewodników w Polsce
Komponenty
Winbond przejmie biznes pamięci NOR Flash i F-RAM od Infineona za 1,12 mld dolarów
Elektromechanika
Czy ultradźwiękowe głośniki MEMS zmienią rynek audio?
Produkcja elektroniki
ESMC kończy budowę konstrukcji fabryki półprzewodników w Dreźnie
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Wrzesień 2026
Magazyn
Sierpień 2026
Targi zagraniczne
Electronica 2026 - targi i konferencja producentów elektroniki

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów