Źródła rynkowe donoszą, że Samsung i Toshiba rozważają możliwość zmniejszenia tempa produkcji układów NAND w swoich fabrykach, aby nie dopuścić dalszych obniżek cen. Przejście na technologię 21 nm i 19 nm pozwoliło obu firmom zwiększyć swoje zdolności produkcyjne, jednak kiepski popyt na pamięci doprowadził do niepotrzebnych nadwyżek.
Jak widać, optymistyczne prognozy analityków zakładające dobrą sprzedaż ultrabooków i dysków SSD w tym roku okazały się nietrafione. Teraz Samsung i Toshiba na poważnie myślą o zmniejszeniu produkcji. Koreański producent już w czerwcu interweniował za pośrednictwem swoich chińskich kanałów dystrybucyjnych, aby utrzymać stabilność cen.
Michał Pieniążek
fot.www.fareastgizmos.com
» Micron i Hynix zyskują na upowszechnianiu się standardu NAND Flash
» Silny wzrost rynku pamięci NAND flash w ostatnim kw. roku i dobre perspektywy
» NAND Flash: dobre półrocze i odwrócenie trendu w lipcu
» Ceny pamięci NAND flash spadły poniżej kosztów produkcji
Samsung, Hynix and Micron could be fined up to $8 billion by the Anti-Monopoly Bureau of China’s Ministry of Commerce, reports Digitimes. Under China’s antitrust law, the three DRAM companies could be fined a collective $800 million to $8 billion for price fixing. DRAM prices have been on the rise for 18 months. China has suffered from the rise because its OEMs become less competitive as DRAM prices increase. China is in a dilemma because it has DRAM plants of it own coming on-stream either late this year or early next. High prices would allow China’s DRAM manufacturers to recoup some of their investment, however, a successful price-fixing case would very likely depress DRAM prices.
więcej na: www.electronicsweekly.com
