Pierwsze oferowane LED-y mają wymiary 3,5 x 2,5 mm i są produkowane w angielskiej fabryce firmy w Plymouth. Według Plesseya krótki czas fabrycznego wykonania LED-ów daje znaczną przewagę kosztową nad rozwiązaniami opartymi na szafirze i węgliku krzemu i zapewnia podobną jakość. Początkowo do napylania azotku galu na płytki krzemowe wykorzystywano tylko jeden reaktor i powstawało około 500 płytek miesięcznie. Plessey chce jednak zwiększyć liczbę reaktorów MOCVD do dziesięciu.
Technologia GaN-on-silicon powstała na Uniwersytecie Cambridge, gdzie specjalnie w celu jej komercjalizacji założono firmę CamGaN, przejętą przez Plesseya w lutym 2012 r. Plessey pracuje obecnie nad możliwością produkcji diod w tej technologii na płytkach 200-milimetrowych. Firma dysponuje w Plymouth także 200-milimetrową linią produkcyjną i - według jej przedstawicieli - reaktory dają się przeskalować na płytki o wymiarze 200 mm.
