Zakład w Roborough bazujący na krzemie 200mm obecnie wytwarza dla klientów zewnętrznych układy CMOS w technologii procesu 0,35 mikrona. W tym roku Plessey planuje wdrożenie w zakładzie w Roborough technologii wykonania tranzystorów bipolarnych zarówno na substratach krzemowych jak i SOI (Silicon on Insulator).
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł