wersja mobilna
Online: 421 Piątek, 2018.01.19

Biznes

Nanotechnologia pomaga w chłodzeniu elektronów

środa, 17 września 2014 07:50

Naukowcy z University of Texas w Arlington opracowali metodę chłodzenia elektronów do -228°C bez stosowania środków zewnętrznych, w temperaturze pokojowej. W nowej metodzie wykorzystuje się przejście elektronów przez studnię kwantową w celu ich schłodzenia i zabezpieczenia przed ogrzewaniem. Odkrycie to może doprowadzić do przełomu w zakresie urządzeń elektronicznych bardzo małej mocy. Zimne elektrony mogą znaleźć zastosowanie w nowym typie tranzystora, który działałby przy ekstremalnie niskim zużyciu energii.

W temperaturze pokojowej elektrony są termicznie wzbudzone, ale jeżeli to wzbudzenie może być kontrolowane, temperaturę elektronów można obniżać bez korzystania z zewnętrznego chłodzenia.

- Uzyskanie zimnych elektronów w temperaturze pokojowej daje ogromne korzyści techniczne. Na przykład wyeliminowana może być konieczność stosowania, w różnych systemach chłodzenia elektronów, ciekłego helu lub ciekłego azotu - mówi profesor Seong Jin Koh.

- Jeśli wyniki badań zostaną wdrożone w tranzystorach, mogą potencjalnie zmniejszyć zużycie energii w urządzeniach elektronicznych o więcej niż 10 razy, w porównaniu do obecnie wykorzystywanych technologii. Osobiste urządzenia elektroniczne, takie jak smartfony, iPady, itp., mogłyby działać znacznie dłużej nim wymagałyby ponownego ładowania - mówiła dr Usha Varshney z U.S. National Science Foundation.

Oprócz potencjalnych zastosowań komercyjnych istnieje wiele wojskowych zastosowań opracowanej technologii. Baterie ważą dużo, a mniejsze zużycie energii oznacza zmniejszenie wagi baterii urządzeń elektronicznych, co wzmocni zdolność bojową żołnierzy. Inne możliwe zastosowania wojskowe obejmują elektronikę zdalnych czujników i bezzałogowych statków powietrznych, a także wysokiej wydajności obliczenia konieczne do prowadzenia operacji na odległość.

źródło: University of Texas at Arlington

 

World News 24h

piątek, 19 stycznia 2018 09:53

A team of electrical engineers at The University of Texas at Austin, in collaboration with Peking University scientists, has developed the thinnest memory storage device with dense memory capacity, paving the way for faster, smaller and smarter computer chips for everything from consumer electronics to big data to brain-inspired computing. “For a long time, the consensus was that it wasn't possible to make memory devices from materials that were only one atomic layer thick,” said Deji Akinwande, associate professor in the Cockrell School of Engineering’s Department of Electrical and Computer Engineering. “With our new ‘atomristors,’ we have shown it is indeed possible.”

więcej na: news.utexas.edu