Dobiegły końca eliminacje do udziału w zawodach European Rover Challenge 2016. Ostatecznie zakwalifikowano 44 drużyny z 10 krajów świata. Oprócz 17 zespołów reprezentujących Polskę w konkursie wystąpią reprezentanci Australii, Kanady, Włoch, Hiszpanii, Peru, Bangladeszu, Indii, Egiptu oraz Turcji. Teraz uczestnicy mają 3 miesiące na przygotowanie łazików do wykonywania zadań konkursowych.
Obecnie trwa jeszcze przyjmowanie zgłoszeń wystawców, którzy swoją działalność zaprezentują w ramach strefy pokazów naukowo-technologicznych. Od 10 do 12 września na oglądających zawody czekać też będą specjalnie przygotowane prezentacje naukowe, interaktywne zabawy i interesujące pokazy technologiczne.
- Cieszymy się, że wyraźnie rosnąca popularność European Rover Challenge przekłada się na poziom zawodów. Otrzymaliśmy od prawie 60 zespołów dokumentacje projektowe spełniające wymogi stawiane przy poważnych, naukowych przedsięwzięciach. W finale zobaczymy najlepszych - powiedział dyrektor ERC Łukasz Wilczyński z Europejskiej Fundacji Kosmicznej.
Trzecia edycja European Rover Challenge odbędzie się w Centrum Wystawienniczo-Kongresowym w Jasionce, w województwie podkarpackim. W dwóch poprzednich odsłonach ERC uczestniczyło łącznie ponad 50 tys. widzów.
Pełna lista zakwalifikowanych oraz więcej informacji na stronie www.roverchallenge.eu.
zdjęcie: roverchallenge.eu (łazik zespołu Politechniki Świętokrzyskiej)
» European Rover Challenge 2016 z rekordową liczbą uczestników
» Polskie łaziki marsjańskie ponownie zwycięzcami University Rover Challenge
» Zaprezentowano polskie łaziki marsjańskie jadące na University Rover Challenge
» Wrocławski łazik zwyciężył w zawodach European Rover Challenge
» W łaziku Curiosity pracują detektory optyczne wyprodukowane przez Vigo System SA
imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.
więcej na: www.imec-int.com
