Renesas przejmie producenta urządzeń GaN - firmę Transphorm

Mająca siedzibę w Goleta, w Kalifornii firma Transphorm Inc zostanie przejęta przez spółkę zależną Renesas Electronics Corp z Tokio. Transakcja będzie miała formę gotówkową, przy czym opłata 5,10 USD za akcję oznacza wycenę firmy Transphorm na około 339 mln USD. Przejęcie zapewni Renesasowi własną technologię GaN, rozszerzając zasięg firmy na szybko rozwijające się rynki półprzewodników mocy, takie jak pojazdy elektryczne, komputery (centra danych, sztuczna inteligencja, infrastruktura), energia odnawialna, przemysłowa konwersja energii oraz szybkie ładowarki.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Wydzielona w 2007 roku z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Santa Barbara (UCSB) firma Transphorm projektuje tranzystory polowe (FET) z azotku galu (GaN), z certyfikatami JEDEC i AEC-Q101, przeznaczone do konwersji mocy w zakresie wysokiego napięcia. Prowadzi działalność produkcyjną w Goleta i Aizu w Japonii.

Warto zauważyć, że wartość wyceny stanowi premię w wysokości około 35% w stosunku do ceny zamknięcia akcji Transphorm z 10 stycznia 2024 r. oraz około 56% w stosunku do średniej ceny ważonej wolumenem z ostatnich 12 miesięcy, a także 78% w stosunku do średniej ceny ważonej wolumenem w ciągu ostatnich sześciu miesięcy.

Aby sprostać ogólnoprzemysłowemu przejściu na materiały o szerokim paśmie wzbronionym (wide-bandgap - WBG) - ponieważ umożliwiają one szerszy zakres napięcia i częstotliwości przełączania niż konwencjonalne urządzenia oparte na krzemie - firma Renesas ogłosiła utworzenie własnej linii produkcyjnej z węglika krzemu (SiC), wspieranej przez 10-letnią umowę na dostawę płytek SiC.

Renesas zamierza dalej poszerzać swoje portfolio produktów WBG, wykorzystując doświadczenie firmy Transphorm w zakresie GaN, ponieważ zapewniają one wyższą częstotliwość przełączania, mniejsze straty mocy i mniejsze rozmiary. Korzyści te pozwalają na tworzenie systemów o większej wydajności, mniejszych i lżejszych, przy niższych kosztach całkowitych.

Zgodnie z badaniem branżowym przewiduje się, że popyt na GaN będzie rósł o ponad 50% rocznie. Renesas zamierza wdrażać technologię GaN firmy Transphorm w branży motoryzacyjnej, opracowując nowe, ulepszone rozwiązania w zakresie zasilania, takie jak układy napędowe X-in-1 dla EV, a także rozwiązania do zastosowań obliczeniowych, energetycznych, przemysłowych i konsumenckich.

Rada dyrektorów Transphorm jednogłośnie zatwierdziła przejęcie i zarekomendowała akcjonariuszom przyjęcie ostatecznej umowy oraz zatwierdzenie fuzji. Równolegle z zawarciem ostatecznej umowy, KKR Phorm Investors L.P., który posiada około 38,6% pozostających w obrocie akcji zwykłych Transphorm, zawarł z Renesasem zwyczajową umowę głosowania za przejęciem.

Oczekuje się, że transakcja zostanie sfinalizowana w drugiej połowie 2024 r., pod warunkiem uzyskania zgody akcjonariuszy Transphorm, wymaganych zezwoleń regulacyjnych oraz spełnienia innych zwyczajowych warunków zamknięcia.

Na zdjęciu: CEO Transphorm - dr Primit Parikh oraz CEO Renesas - Hidetoshi Shibata

Źródło: Renesas

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Dwukierunkowy GaN w systemach zasilania
Renesas i Wolfspeed zawarli wartą 2 mld dolarów umowę na dostawę płytek z węglika krzemu
ROHM i TSMC współpracują przy tworzeniu układów GaN dla motoryzacji
TI czterokrotnie zwiększy produkcję półprzewodników mocy GaN
L&T Semiconductor Technologies wyda ponad 10 mld dolarów na fabryki półprzewodników
Renesas stawia na bezpieczeństwo – zaawansowane systemy wideo nowej generacji dla motoryzacji
Wielomiliardowa współpraca GlobalFoundries i Renesas. Nowy etap zabezpieczania dostaw półprzewodników
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Zasilanie
Centra danych inwestują we własne zasilanie, by uniknąć kryzysu
Produkcja elektroniki
Komisja Europejska aktualizuje zasady inwestycji EIC Fund
Projektowanie i badania
730 mln euro na APECS. Europa wzmacnia sektor mikroelektroniki
Produkcja elektroniki
Globalna ekspansja półprzewodników mocy GaN - rynek osiągnie 3,5 mld dolarów do 2031 roku
Komponenty
Infineon przejmuje C2i Semiconductors. Cel: zasilanie centrów danych AI
Produkcja elektroniki
Rynek półprzewodników mocy dla EV osiągnie wartość 14,5 mld dolarów
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Informacje z firm
Firma WIN SOURCE na targach ITM Industry Europe 2026 - wsparcie rozwoju łańcucha dostaw europejskiego przemysłu wytwórczego
Gospodarka
Sztuczna inteligencja wychodzi z centrów danych. Chipy neuromorficzne rewolucjonizują obliczenia brzegowe
Gospodarka
Drogie pamięci wypchną z rynku podstawowe komputery

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów