TI czterokrotnie zwiększy produkcję półprzewodników mocy GaN

Firma Texas Instruments (TI) z siedzibą w Dallas rozpoczęła produkcję półprzewodników mocy na bazie azotku galu (GaN) w swojej japońskiej fabryce w Aizu. Gdy zakład Aizu w pełni rozwinie swoje możliwości, w połączeniu z produkcją GaN realizowaną w Dallas w Teksasie, TI będzie wytwarzać cztery razy więcej półprzewodników mocy na bazie GaN. Nowa zdolność produkcyjna pozwoli na zwiększenie wydajności i efektywności procesu produkcyjnego, a także na uzyskanie przewagi kosztowej.

Posłuchaj
00:00

- Opierając się na ponad dziesięciu latach doświadczenia w projektowaniu i produkcji układów GaN, pomyślnie zakwalifikowaliśmy naszą technologię GaN 200 mm – obecnie najbardziej skalowalną i konkurencyjną kosztowo metodę produkcji GaN – do rozpoczęcia masowej produkcji w Aizu. Ten kamień milowy umożliwia nam wytwarzanie większej liczby układów GaN wewnętrznie. Do 2030 r. zwiększymy naszą wewnętrzną produkcję do ponad 95%, jednocześnie pozyskując układy GaN z wielu lokalizacji TI i zapewniając niezawodne dostawy całego naszego portfolio energooszczędnych półprzewodników GaN o dużej mocy - mówi Mohammad Yunus, starszy wiceprezes ds. technologii i produkcji w TI.

Firma TI twierdzi, że oferuje obecnie najszerszą gamę zintegrowanych półprzewodników mocy na bazie azotku galu, od niskiego do wysokiego napięcia, co pozwala na tworzenie najbardziej energooszczędnych, niezawodnych i wydajnych urządzeń elektronicznych. Ponadto TI zapewnia, że dzięki opatentowanemu procesowi GaN-on-silicon, ponad 80 milionom godzin testów niezawodności i zintegrowanym funkcjom zabezpieczającym, jej układy GaN są zaprojektowane tak, by chronić systemy wysokiego napięcia.

Texas Instruments przekonuje, że korzyści wynikające z dodatkowej produkcji GaN pozwolą również na skalowanie układów GaN do wyższych napięć - zaczynając od 900 V i zwiększając je z czasem - co przyczyni się do zwiększenia efektywności energetycznej i rozwoju innowacji w zakresie rozmiarów dla zastosowań w robotyce, energetyce odnawialnej i zasilaczach serwerowych.

Procesy produkcyjne TI w zakresie GaN mają być w pełni przenoszalne do technologii 300 mm, co pozwoli na łatwe skalowanie do potrzeb klientów i przejście na 300-milimetrowe podłoża z azotku galu w przyszłości.

Źródło: Semiconductor Today

Powiązane treści
Czy tlenek galu jest przyszłością elektroniki?
Dwukierunkowy GaN w systemach zasilania
Renesas przejmie producenta urządzeń GaN - firmę Transphorm
Mitsubishi zbuduje nowy zakład produkujący moduły mocy
Infineon, finalizując przejęcie GaN Systems, staje się potęgą technologii GaN
Tranzystory polowe GaN w konwerterach energii elektrycznej o dużej sprawności
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komunikacja
Według BBC sztuczna inteligencja niszczy Internet
Projektowanie i badania
TAITRA uruchamia konkurs "Go Healthy with Taiwan"
Pomiary
Rohde & Schwarz przejmuje ZES ZIMMER Electronic Systems GmbH i rozszerza ofertę urządzeń testowo-pomiarowych
Produkcja elektroniki
Indie stawiają na usługi OSAT
Produkcja elektroniki
Rozwój sektora elektronicznego w Polsce - właściciel marki Goodram dołącza do KIGEiT
Produkcja elektroniki
Litewska Teltonika inwestuje w produkcję PCB i usługi EMS
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Informacje z firm
30 lat SOS electronic - specjalista w dziedzinie elektroniki z Grupy Conrad obchodzi jubileusz
Gospodarka
Upadłość firmy Wolfspeed może przenieść zamówienia SiC do dostawców z Tajwanu
Gospodarka
Nowy raport Yole Group: Elektronika mocy na zakręcie – wzrost rynku mimo presji cenowej i zmian geopolitycznych
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów