TI czterokrotnie zwiększy produkcję półprzewodników mocy GaN

Firma Texas Instruments (TI) z siedzibą w Dallas rozpoczęła produkcję półprzewodników mocy na bazie azotku galu (GaN) w swojej japońskiej fabryce w Aizu. Gdy zakład Aizu w pełni rozwinie swoje możliwości, w połączeniu z produkcją GaN realizowaną w Dallas w Teksasie, TI będzie wytwarzać cztery razy więcej półprzewodników mocy na bazie GaN. Nowa zdolność produkcyjna pozwoli na zwiększenie wydajności i efektywności procesu produkcyjnego, a także na uzyskanie przewagi kosztowej.

Posłuchaj
00:00

- Opierając się na ponad dziesięciu latach doświadczenia w projektowaniu i produkcji układów GaN, pomyślnie zakwalifikowaliśmy naszą technologię GaN 200 mm – obecnie najbardziej skalowalną i konkurencyjną kosztowo metodę produkcji GaN – do rozpoczęcia masowej produkcji w Aizu. Ten kamień milowy umożliwia nam wytwarzanie większej liczby układów GaN wewnętrznie. Do 2030 r. zwiększymy naszą wewnętrzną produkcję do ponad 95%, jednocześnie pozyskując układy GaN z wielu lokalizacji TI i zapewniając niezawodne dostawy całego naszego portfolio energooszczędnych półprzewodników GaN o dużej mocy - mówi Mohammad Yunus, starszy wiceprezes ds. technologii i produkcji w TI.

Firma TI twierdzi, że oferuje obecnie najszerszą gamę zintegrowanych półprzewodników mocy na bazie azotku galu, od niskiego do wysokiego napięcia, co pozwala na tworzenie najbardziej energooszczędnych, niezawodnych i wydajnych urządzeń elektronicznych. Ponadto TI zapewnia, że dzięki opatentowanemu procesowi GaN-on-silicon, ponad 80 milionom godzin testów niezawodności i zintegrowanym funkcjom zabezpieczającym, jej układy GaN są zaprojektowane tak, by chronić systemy wysokiego napięcia.

Texas Instruments przekonuje, że korzyści wynikające z dodatkowej produkcji GaN pozwolą również na skalowanie układów GaN do wyższych napięć - zaczynając od 900 V i zwiększając je z czasem - co przyczyni się do zwiększenia efektywności energetycznej i rozwoju innowacji w zakresie rozmiarów dla zastosowań w robotyce, energetyce odnawialnej i zasilaczach serwerowych.

Procesy produkcyjne TI w zakresie GaN mają być w pełni przenoszalne do technologii 300 mm, co pozwoli na łatwe skalowanie do potrzeb klientów i przejście na 300-milimetrowe podłoża z azotku galu w przyszłości.

Źródło: Semiconductor Today

Powiązane treści
Czy tlenek galu jest przyszłością elektroniki?
Dwukierunkowy GaN w systemach zasilania
Renesas przejmie producenta urządzeń GaN - firmę Transphorm
Mitsubishi zbuduje nowy zakład produkujący moduły mocy
Infineon, finalizując przejęcie GaN Systems, staje się potęgą technologii GaN
Tranzystory polowe GaN w konwerterach energii elektrycznej o dużej sprawności
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Branża motoryzacyjna obiera kurs na RISC-V
Aktualności
Polscy konsumenci gromadzą nieużywaną elektronikę wartą 112 mld zł
Mikrokontrolery i IoT
Coraz więcej możliwości komunikacji satelitarnej w IoT
Optoelektronika
Automatyczna inspekcja optyczna 3D - pierwszy w Polsce nowy system Viscom
Pomiary
KIOXIA i Linus Media Group ustanawiają światowy rekord w obliczeniach liczby Pi
Produkcja elektroniki
Pierwszy 2-nanometrowy układ firmy MediaTek już we wrześniu
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Gospodarka
Polscy konsumenci gromadzą nieużywaną elektronikę wartą 112 mld zł
Gospodarka
Foxconn i Nvidia zbudują centrum danych AI mające moc 100 MW
Gospodarka
Studenci Politechniki Poznańskiej zbudowali rakietę sondażową. Wsparcia udzieliła Grupa Renex
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów