GlobalFoundries otrzymał z Departamentu Obrony USA fundusze na przyspieszenie produkcji układów GaN

Jak wynika z komunikatu prasowego firmy z 18 października, GlobalFoundries otrzymał od Departamentu Obrony Stanów Zjednoczonych finansowanie w wysokości 35 mln dolarów na wsparcie rozwiązań z azotku galu na krzemie (GaN on Si) powstających w zakładzie GF w Essex Junction, w stanie Vermont. Finansowanie przyznane przez Biuro Programu Zaufanego Dostępu (Trusted Access Program Office) podlegające Departamentowi Obrony przybliży firmę do uruchomienia masowej produkcji GaN na krzemie, na płytkach o średnicy 200 mm.

Posłuchaj
00:00

Aby osiągnąć ten cel, GF planuje zakup dodatkowych narzędzi rozszerzających możliwości rozwoju i prototypowania. Zakład GlobalFoundries w Vermont jest "zaufaną fabryką" akredytowaną przez Defense Microelectronics Activity do produkcji bezpiecznych chipów dla amerykańskiego przemysłu obronnego. Biuro Programu Trusted Access (TAPO) zarządza programem zaufanych fabryk.

Oprócz działalności w Vermont, GF ma również zaufaną fabrykę w mieście Malta, w stanie Nowy Jork. Informacje z TAPO pokazują, że zakład w Vermont oferuje różne platformy produkcyjne w szerokim zakresie węzłów procesowych, z których najbardziej dojrzała to 0,5 ㎛. Oprócz CMOS, platformy produkcyjne w zakładzie obejmują RF CMOS, High-Voltage CMOS, SOI CMOS, Bipolar CMOS i krzemogerman.

Na razie jedyne platformy GaN dostępne w ramach programu Trusted Foundry to platformy firm Wolfspeed, Qorvo, M/A-COM Technology Solutions, BAE Systems Microwave Electronics Center, Northrop Grumman i Raytheon RF Components. Najbardziej zaawansowany węzeł procesowy oparty na GaN, dostępny w ramach programu, jest oferowany przez firmę Wolfspeed z rozmiarem 140 nm.

Źródło: DigiTimes

Powiązane treści
GlobalFoundries ma potwierdzenie potężnego wsparcia w ramach CHIPS Act
GlobalFoundries zyska 1,5 mld dolarów z funduszy CHIPS and Science Act
Infineon, finalizując przejęcie GaN Systems, staje się potęgą technologii GaN
Tranzystory polowe GaN w konwerterach energii elektrycznej o dużej sprawności
Ogromne sumy wsparcia dla przemysłu półprzewodnikowego w USA
Globalna sprzedaż sprzętu do produkcji półprzewodników osiągnie rekordową kwotę
Infineon przejmuje GaN Systems
GlobalFoundries zainwestuje miliardy dolarów w produkcję w USA
GaN i SiC jeszcze poczekają na "mainstream"
STMicroelectronics i MACOM opracowali prototypy chipów RF GaN-on-Si
Wzrost rynku GaN nabiera tempa
GaN-on-SiC zdobywa udział w rynku usług satelitarnych
Infineon zainwestuje 2 mld euro w produkcję SiC i GaN
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
Dzień Otwarty WAT - 28 marca 2026 r.
Komponenty
Anglia Components rozszerza współpracę z Digi International i wchodzi na rynki nordyckie oraz bałtyckie
Komponenty
Polska wzmacnia sektor półprzewodników. Nowa współpraca z SEMI Europe
Produkcja elektroniki
Prezydent podpisał ustawę o KSC. Dyrektywa NIS2 wymusi zmiany w łańcuchach dostaw elektroniki
Komponenty
Kryzys na Bliskim Wschodzie zagraża produkcji układów scalonych. Widmo niedoborów helu i bromu
Komponenty
Wyścig o chipy dla AI. IBM i Lam Research inwestują w litografię sub-1-nm
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Gospodarka
ACTE zmienia nazwę na Elpress Polska
Gospodarka
Alphabet wyda na sztuczną inteligencję 185 mld dolarów
Informacje z firm
Grupa RENEX wsparła 34. Finał Wielkiej Orkiestry Świątecznej Pomocy

Jak kompensować moc bierną w małej firmie, by płacić mniej za energię bierną?

Z reguły małej firmy nie stać na zakup automatycznego kompensatora mocy biernej. Niemniej, sytuacja nie jest bez wyjścia i w tym artykule na prostym przykładzie pokazane zostało podejście do rozwiązania problemu mocy biernej.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów