GlobalFoundries otrzymał z Departamentu Obrony USA fundusze na przyspieszenie produkcji układów GaN
| Gospodarka AktualnościJak wynika z komunikatu prasowego firmy z 18 października, GlobalFoundries otrzymał od Departamentu Obrony Stanów Zjednoczonych finansowanie w wysokości 35 mln dolarów na wsparcie rozwiązań z azotku galu na krzemie (GaN on Si) powstających w zakładzie GF w Essex Junction, w stanie Vermont. Finansowanie przyznane przez Biuro Programu Zaufanego Dostępu (Trusted Access Program Office) podlegające Departamentowi Obrony przybliży firmę do uruchomienia masowej produkcji GaN na krzemie, na płytkach o średnicy 200 mm.
Aby osiągnąć ten cel, GF planuje zakup dodatkowych narzędzi rozszerzających możliwości rozwoju i prototypowania. Zakład GlobalFoundries w Vermont jest "zaufaną fabryką" akredytowaną przez Defense Microelectronics Activity do produkcji bezpiecznych chipów dla amerykańskiego przemysłu obronnego. Biuro Programu Trusted Access (TAPO) zarządza programem zaufanych fabryk.
Oprócz działalności w Vermont, GF ma również zaufaną fabrykę w mieście Malta, w stanie Nowy Jork. Informacje z TAPO pokazują, że zakład w Vermont oferuje różne platformy produkcyjne w szerokim zakresie węzłów procesowych, z których najbardziej dojrzała to 0,5 ㎛. Oprócz CMOS, platformy produkcyjne w zakładzie obejmują RF CMOS, High-Voltage CMOS, SOI CMOS, Bipolar CMOS i krzemogerman.
Na razie jedyne platformy GaN dostępne w ramach programu Trusted Foundry to platformy firm Wolfspeed, Qorvo, M/A-COM Technology Solutions, BAE Systems Microwave Electronics Center, Northrop Grumman i Raytheon RF Components. Najbardziej zaawansowany węzeł procesowy oparty na GaN, dostępny w ramach programu, jest oferowany przez firmę Wolfspeed z rozmiarem 140 nm.
źródło: DigiTimes
