GlobalFoundries otrzymał z Departamentu Obrony USA fundusze na przyspieszenie produkcji układów GaN

Jak wynika z komunikatu prasowego firmy z 18 października, GlobalFoundries otrzymał od Departamentu Obrony Stanów Zjednoczonych finansowanie w wysokości 35 mln dolarów na wsparcie rozwiązań z azotku galu na krzemie (GaN on Si) powstających w zakładzie GF w Essex Junction, w stanie Vermont. Finansowanie przyznane przez Biuro Programu Zaufanego Dostępu (Trusted Access Program Office) podlegające Departamentowi Obrony przybliży firmę do uruchomienia masowej produkcji GaN na krzemie, na płytkach o średnicy 200 mm.

Posłuchaj
00:00

Aby osiągnąć ten cel, GF planuje zakup dodatkowych narzędzi rozszerzających możliwości rozwoju i prototypowania. Zakład GlobalFoundries w Vermont jest "zaufaną fabryką" akredytowaną przez Defense Microelectronics Activity do produkcji bezpiecznych chipów dla amerykańskiego przemysłu obronnego. Biuro Programu Trusted Access (TAPO) zarządza programem zaufanych fabryk.

Oprócz działalności w Vermont, GF ma również zaufaną fabrykę w mieście Malta, w stanie Nowy Jork. Informacje z TAPO pokazują, że zakład w Vermont oferuje różne platformy produkcyjne w szerokim zakresie węzłów procesowych, z których najbardziej dojrzała to 0,5 ㎛. Oprócz CMOS, platformy produkcyjne w zakładzie obejmują RF CMOS, High-Voltage CMOS, SOI CMOS, Bipolar CMOS i krzemogerman.

Na razie jedyne platformy GaN dostępne w ramach programu Trusted Foundry to platformy firm Wolfspeed, Qorvo, M/A-COM Technology Solutions, BAE Systems Microwave Electronics Center, Northrop Grumman i Raytheon RF Components. Najbardziej zaawansowany węzeł procesowy oparty na GaN, dostępny w ramach programu, jest oferowany przez firmę Wolfspeed z rozmiarem 140 nm.

Źródło: DigiTimes

Powiązane treści
GlobalFoundries ma potwierdzenie potężnego wsparcia w ramach CHIPS Act
GlobalFoundries zyska 1,5 mld dolarów z funduszy CHIPS and Science Act
Infineon, finalizując przejęcie GaN Systems, staje się potęgą technologii GaN
Tranzystory polowe GaN w konwerterach energii elektrycznej o dużej sprawności
Ogromne sumy wsparcia dla przemysłu półprzewodnikowego w USA
Globalna sprzedaż sprzętu do produkcji półprzewodników osiągnie rekordową kwotę
Infineon przejmuje GaN Systems
GlobalFoundries zainwestuje miliardy dolarów w produkcję w USA
GaN i SiC jeszcze poczekają na "mainstream"
STMicroelectronics i MACOM opracowali prototypy chipów RF GaN-on-Si
Wzrost rynku GaN nabiera tempa
GaN-on-SiC zdobywa udział w rynku usług satelitarnych
Infineon zainwestuje 2 mld euro w produkcję SiC i GaN
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Mikrokontrolery i IoT
ME Embedded i congatec - partnerstwo, które przyspieszy rozwój systemów automatyki i IoT
Aktualności
W czwartek w Warszawie startuje Evertiq Expo
Zasilanie
Eneris uruchomił w Siemiatyczach elektrownię PV
Produkcja elektroniki
Holenderski rząd przejmuje kontrolę nad firmą Nexperia
Pomiary
Polski odbiornik GNSS zsynchronizuje czas w europejskiej infrastrukturze krytycznej
PCB
Würth Elektronik rozwija technologie PCB w europejskim projekcie PROACTIF
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Gospodarka
W czwartek w Warszawie startuje Evertiq Expo
Opinie
AI zapewni dynamiczny cennik w e-commerce
Informacje z firm
SALTEK - ekspert w ochronie przed przepięciami - nowym dostawcą Dacpolu

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów