Infineon zainwestuje 2 mld euro w produkcję SiC i GaN

Trzeci zakład zlokalizowany w Kulim w Malezji pozwoli wygenerować 2 mld dodatkowego rocznego przychodu dzięki chipom opartym na węgliku krzemu i azotku galu, gdy zostanie wprowadzony do sprzedaży do końca 2024 roku.

W międzyczasie zakład w Villach będzie pełnił rolę globalnego centrum R&D. Linie produkcyjne obejmujące 200- i 300-milimetrowe płytki zostaną przystosowane do wytwarzania półprzewodników na bazie SiC i GaN. Firma ma już ponad 3 tys. klientów na swoje urządzenia zasilające SiC, przeznaczone do ładowania samochodów i pojazdów elektrycznych, zasilania przemysłowego, fotowoltaiki, transportu i napędów. Infineon zamierza osiągnąć do połowy dekady przychody w wysokości miliarda dolarów dzięki komponentom energoelektronicznym na bazie SiC.

Analitycy wskazują, że w 2025 roku rynek podzespołów na bazie GaN osiągnie wartość 801 mln dolarów. Dla porównania w 2020 roku było to 47 mln dolarów.