Ośrodek produkcyjny będzie zlokalizowany w Suzhou New District, w prowincji Jiangsu. Jest budowany przez Suzhou Sike Semiconductor, spółkę joint venture Li Auto i Hunan Sanan Semiconductor. Oczekuje się, że instalacja sprzętu i testy rozpoczną się jeszcze w 2022 r., a próbki zostaną wyprodukowane w pierwszej połowie 2023 r. Oficjalnie fabryka ruszyć ma w roku 2024. Roczna produkcja w przyszłości będzie stopniowo wzrastać do 2,4 mln modułów mocy SiC.
Współzałożyciel i prezes Li Auto, Yanan Shen, zwraca uwagę, że półprzewodniki trzeciej generacji będą szybko zyskiwać szerokie zastosowanie w pojazdach NEV. Posiadanie własnej bazy badawczo-rozwojowej i produkcyjnej dla samochodowych modułów zasilających SiC pozwoli Li Auto na ugruntowanie pozycji lidera technologii i produktów w tej dziedzinie, jednocześnie skutecznie zabezpieczając ich masową produkcję.
Niedobór chipów samochodowych od drugiej połowy 2020 r. doprowadził do zmniejszenia i zawieszenia produkcji samochodów przez wielu producentów. Inwestując w opracowywane przez siebie chipy, firmy takie jak BYD były w stanie osiągnąć samowystarczalność. W rezultacie opanowanie podstawowych części łańcucha dostaw stało się głównym celem rozwoju działalności producentów samochodów.
W Wuxi, również w prowincji Jiangsu, w budowę własnej bazy produkcyjnej do pakowania i testowania modułów półprzewodnikowych trzeciej generacji zainwestuje także HYCET Technology - spółka zależna Great Wall Motor Group. Baza utworzona kosztem 800 mln CNY (116,8 mln USD) skoncentruje swoje działania na inwerterach i ładowarkach do pojazdów NEV, przy czym docelowa roczna produkcja sięgnąć ma 1,2 mln sztuk. HYCET zamierza rywalizować w Chinach o pozycję lidera motoryzacyjnych półprzewodników mocy. Już wcześniej 10 zestawów narzędzi niezbednych do wytwarzania SiC zakupiła firma Great Wall Motors, by przyspieszyć tworzenie linii produkcyjnych modułów SiC. W 2021 r. zainwestowała ona w chińską firmę produkującą podłoża SiC - Synlight Semiconductor.
Źródło: DigiTimes
