Niedawno firma CGD wprowadziła na rynek serię 650 V H2 z rodziny HEMT ICeGaN. Nowe elementy bazujące na azotku galu zmniejszają złożoność projektu, ponieważ mogą być sterowane za pomocą dostępnych na rynku przemysłowych sterowników bramek. Znacznie zmniejszają straty przełączania, zapewniając wiodące w branży wskaźniki wydajności, które skutkują zmniejszeniem rozmiaru, wagi i kosztów systemu. Seria H2 ICEGaN HEMT zapewnia również niezawodność i wytrzymałość, wykorzystując interfejs inteligentnej bramki CGD, który praktycznie eliminuje typową słabość e-mode GaN. Urządzenia charakteryzują się zwiększoną odpornością na przepięcia, wyższym progiem odporności na zakłócenia, tłumieniem dV/dt i ochroną ESD.
Cambridge GaN Devices projektuje, opracowuje i wprowadza na rynek tranzystory i układy scalone GaN, umożliwiając radykalną zmianę wydajności energetycznej i uzyskanie kompaktowości. Technologia ICEGaN firmy CGD okazała się odpowiednia do produkcji na dużą skalę. Fablessowe CGD zostało wyodrębnione z Uniwersytetu Cambridge. Jego założyciele - CEO dr Giorgia Longobardi i CTO profesor Florin Udrea - nadal utrzymują silne powiązania ze znaną na całym świecie grupą High Voltage Microelectronics and Sensors
(HVMS) na uniwersytecie.
Źródło: Cambridge GaN Devices
