CBRTP rozwija produkcję 8-calowych podłoży GaN

Centrum Badań i Rozwoju Technologii dla Przemysłu (CBRTP) prowadzi prace nad technologią wytwarzania 8-calowych płytek z azotku galu (freestanding GaN wafers) – ich rozmiar i jakość krystalograficzna mogą zrewolucjonizować elektronikę, produkcję samochodów elektrycznych, systemy energetyczne i komunikacyjne. To projekt o strategicznym znaczeniu dla bezpieczeństwa technologicznego Europy, dotychczas uzależnionej od amerykańskich i azjatyckich dostawców.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Produkcja dużych, 8-calowych podłoży GaN to jedno z najtrudniejszych wyzwań technologicznych. Obecnie rynek ten jest prawie całkowicie zdominowany przez Stany Zjednoczone i Azję. Teraz, po raz kolejny od czasów Ammono – polskiego producenta monokrystalicznych płytek GaN o średnicy 2 cali, który ponad 25 lat temu uruchomił produkcję (aktualnie technologia jest wykorzystywana przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN), w Polsce powstaje przełomowa technologia ich wytwarzania.

– Naszym założeniem jest stworzenie w Polsce technologii na miarę europejskiego zapotrzebowania, która umożliwi produkcję nowoczesnych półprzewodników w oparciu o rodzimy potencjał badawczo-rozwojowy. To nie tylko innowacja technologiczna, ale i strategiczny krok w kierunku niezależności i zrównoważonego przemysłu – mówi Grzegorz Putynkowski, prezes zarządu CBRTP.

W Centrum Badań i Rozwoju Technologii dla Przemysłu powstaje demonstracyjny reaktor badawczy, który pozwoli na testową produkcję i walidację procesów w warunkach przemysłowych. Celem jest uzyskanie materiału o bardzo niskiej gęstości defektów przy jednoczesnym zwiększeniu rozmiaru i obniżeniu kosztów produkcji. Azotek galu oferuje większą wydajność, szybkość i efektywność energetyczną niż krzem. Dzięki temu urządzenia mogą być mniejsze, szybsze i bardziej energooszczędne. W energetyce i elektromobilności GaN pozwala tworzyć wydajne ładowarki, przetwornice i inteligentne systemy zarządzania energią, a w elektronice konsumenckiej – bardziej trwałe i efektywne energetycznie urządzenia: od smartfonów po sprzęt AGD. Równocześnie rozwój własnej technologii wytwarzania podłoży GaN zwiększy samodzielność technologiczną Europy, ograniczając jej zależność od azjatyckich i amerykańskich dostawców surowców i komponentów strategicznych.

– Planujemy zakończenie prac nad demonstratorem technologii oraz uruchomienie linii pilotażowej do testowej produkcji 8-calowych wafli GaN do połowy 2026 r. Europa potrzebuje własnych kompetencji w zakresie zaawansowanych półprzewodników, a prace takie jak nasze są fundamentem przyszłej niezależności technologicznej: od energetyki po mobilność i cyfryzację – podkreśla Grzegorz Putynkowski.

Grzegorz Putynkowski - prezes zarządu CBRTP

CBRTP prowadzi rozmowy z międzynarodowymi partnerami przemysłowymi w celu przygotowań do przyszłej komercjalizacji. W kolejnych etapach projektu przewidziane jest również rozwijanie współpracy z podmiotami z całej Europy i Azji, co pozwoli na skuteczne wdrożenie technologii GaN do przemysłu.

Prognozy Fortune Business Insights wskazują na wzrost wartości globalnego rynku półprzewodników z 755,28 mld dolarów w 2025 r. do 2062,59 mld dolarów do roku 2032, przy wskaźniku CAGR dla tego okresu na poziomie 15,4%.

Źródło: CBRTP

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
Powiązane treści
Infineon wprowadza tranzystory GaN odporne na promieniowanie z certyfikatem DLA JANS do zastosowań kosmicznych
GaN na krzemie nowym otwarciem w aplikacjach RF
Infineon rozszerza ofertę modułów mocy EasyPACK CoolGaN dla aplikacji wysokonapięciowych
Wykorzystanie przełączników SiC/GaN do zmniejszenia strat w układach napędowych silników
SiC i GaN zasilają rewolucję AI: półprzewodniki, które zmieniają oblicze centrów danych
Digi-Key rozwija dystrybucję komponentów opartych na azotku galu
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Nowa fabryka CATL uruchamia próbną produkcję ogniw akumulatorowych na Węgrzech
Projektowanie i badania
Społeczność element14 Community zaprasza inżynierów do bezpłatnego przetestowania nowego komputera jednopłytkowego Arduino VENTUNO Q
Produkcja elektroniki
Foxconn finalizuje rozmowy o fabryce półprzewodników w Polsce
Komponenty
Winbond przejmie biznes pamięci NOR Flash i F-RAM od Infineona za 1,12 mld dolarów
Elektromechanika
Czy ultradźwiękowe głośniki MEMS zmienią rynek audio?
Produkcja elektroniki
ESMC kończy budowę konstrukcji fabryki półprzewodników w Dreźnie
Zobacz więcej z tagiem: Produkcja elektroniki
Gospodarka
Nowa fabryka CATL uruchamia próbną produkcję ogniw akumulatorowych na Węgrzech
Gospodarka
Foxconn finalizuje rozmowy o fabryce półprzewodników w Polsce
Gospodarka
ESMC kończy budowę konstrukcji fabryki półprzewodników w Dreźnie

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów