Infineon wprowadza tranzystory GaN odporne na promieniowanie z certyfikatem DLA JANS do zastosowań kosmicznych

Infineon Technologies jako pierwszy producent na świecie uzyskał certyfikat DLA JANS dla własnych tranzystorów GaN odpornych na promieniowanie. Nowa seria tranzystorów HEMT została zaprojektowana z myślą o zaawansowanych zastosowaniach kosmicznych - w tym satelitach, sondach i misjach załogowych - oferując najwyższą niezawodność, gęstość mocy oraz odporność na promieniowanie jonizujące i efekty pojedynczych zdarzeń (SEE).

Posłuchaj
00:00

Nowa generacja tranzystorów GaN odpornych na promieniowanie

Infineon Technologies AG ogłosił premierę nowej serii tranzystorów z azotku galu (GaN) odpornych na promieniowanie, produkowanych w zakładach firmy w oparciu o sprawdzoną technologię CoolGaN. Nowe tranzystory typu HEMT (High Electron Mobility Transistor) zostały zaprojektowane z myślą o krytycznych zastosowaniach w pojazdach kosmicznych na orbicie, załogowych misjach kosmicznych oraz sondach międzyplanetarnych.

Certyfikat DLA JANS – przełom dla technologii GaN w zastosowaniach kosmicznych

Nowością w ofercie jest pierwszy tranzystor GaN produkcji własnej firmy, który uzyskał najwyższą klasę niezawodności zgodną ze specyfikacją Joint Army-Navy Space (JANS) MIL-PRF-19500/794, przyznawaną przez amerykańską agencję Defense Logistics Agency (DLA). To jednocześnie jedno z pierwszych na świecie urządzeń GaN z takim certyfikatem.

Nowe tranzystory rad-hard GaN HEMT łączą wysoką efektywność energetyczną, znakomite właściwości termiczne oraz dużą gęstość mocy, umożliwiając budowę mniejszych, lżejszych i bardziej niezawodnych systemów zasilania dla zastosowań kosmicznych. Produkty te uzupełniają dotychczasową, szeroką ofertę Infineona w zakresie odpornych na promieniowanie tranzystorów MOSFET w technologii krzemu (Si).

GaN jako przyszłość zasilania w misjach kosmicznych

- Zespół Infineona konsekwentnie przesuwa granice projektowania systemów zasilania dzięki nowej linii tranzystorów GaN - powiedział Chris Opoczynski, starszy wiceprezes i dyrektor generalny działu HiRel w Infineon. - To kamień milowy w dostarczaniu wysokiej niezawodności rozwiązań energetycznych nowej generacji dla obronności i eksploracji kosmosu, opartych na właściwościach szerokopasmowych półprzewodników.

Pierwsze trzy modele z nowej serii oferują napięcie pracy 100 V i prąd 52 A, a ich rezystancja RDS(on) wynosi jedynie 4 mΩ, przy ładunku bramki Qg równym 8,8 nC. Obudowy typu hermetycznego, ceramiczne, montowane powierzchniowo zapewniają odporność na zjawiska SEE (Single Event Effects) do poziomu LET = 70 MeV·cm²/mg (dla jonów złota). Dwa z tych urządzeń, bez certyfikatu JANS, zostały przetestowane pod kątem TID do poziomu 100 krad oraz 500 krad. Trzecie urządzenie, również o odporności 500 krad TID, spełnia wymagania specyfikacji MIL-PRF-19500/794.

Dostępność

Pierwsze próbki inżynierskie i płytki ewaluacyjne są już dostępne, natomiast oficjalna premiera wersji JANS planowana jest na lato 2025 roku. Wkrótce na rynek trafią kolejne modele z serii, oferujące szerszy zakres napięć i prądów, co zwiększy elastyczność projektowania niezawodnych systemów zasilania dla przemysłu kosmicznego.

Źródło: Infineon

Powiązane treści
Tranzystory diamentowe odmienią elektronikę dużej mocy
Infineon i Typhoon HIL łączą siły – nowe rozwiązanie HIL do testowania układów napędowych xEV
Infineon przejmuje biznes motoryzacyjny układów ethernetowych firmy Marvell
10 miliardów chipów z Integrity Guard Infineona
Rząd Niemiec zatwierdził dofinansowanie nowej fabryki Infineon w Dreźnie
Infineon prezentuje SECORA ID V2 i eID-OS – nowe rozwiązania do nowoczesnych dokumentów tożsamości
Infineon rozszerza ofertę modułów mocy EasyPACK CoolGaN dla aplikacji wysokonapięciowych
Wykorzystanie przełączników SiC/GaN do zmniejszenia strat w układach napędowych silników
Infineon Technologies umacnia globalną pozycję lidera w branży półprzewodników dla motoryzacji
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Na całym świecie brakuje specjalistów od technologii półprzewodników
Aktualności
Mouser uruchamia nowe centrum zasobów skoncentrowane na automatyzacji
PCB
EMS i PCB są synergicznymi obszarami biznesu jedynie dla nielicznych
Zasilanie
Centra danych potrzebują energii - rynek zasilaczy dla centrów w mocnym trendzie wzrostowym
Aktualności
Nowy oddział Würth Elektronik w Republice Południowej Afryki
Komponenty
Sprzęt dla półprzewodników bije rekordy – AI i nowe technologie napędzają globalny rynek do 138 mld USD!
Zobacz więcej z tagiem: Komponenty
Gospodarka
Sprzęt dla półprzewodników bije rekordy – AI i nowe technologie napędzają globalny rynek do 138 mld USD!
Gospodarka
Pierwiastki ziem rzadkich - o co tyle zamieszania?
Raporty
Komponenty indukcyjne

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów