wersja mobilna
Online: 1498 Wtorek, 2017.11.21

Biznes

NXP i STMicroelectronics rozpoczną współpracę w obszarze technologii NFC

środa, 02 grudnia 2009 14:17

NXP oraz STMicroelectronics ogłosiły podpisanie globalnej umowy licencyjnej w zakresie rozwijanej przez NXP technologii komunikacji typu NFC (near-field communications) o nazwie MIFARE. Standard NFC, znajdujący zastosowanie przede wszystkim w mobilnych urządzeniach elektronicznych i telefonach komórkowych, opiera się na wykorzystaniu pola elektromagnetycznego do komunikacji między urządzeniami na niewielkich odległościach do 100mm.

Według zainteresowanych stron, szersza adopcja NFC na rynku wymaga od producentów zwiększenia współpracy. ST zamierza wykorzystać technologię MIFARE w zakresie rozwiązań bezpieczeństwa stosowanych w telefonach komórkowych i aplikacjach płatniczych i bankowych. Poza technologią komunikacji bezdotykowej MIFARE Plus, ST nabyło także prawo do wykorzystania technologii MIFARE Classic oraz MIFARE DESFire w kartach SIM oraz systemach bezpieczeństwa w produktach przeznaczonych na rynek komórkowy, komputerowy oraz kart płatniczych.

 

World News 24h

wtorek, 21 listopada 2017 16:09

Chinese foundry SMIC has added direct bond interconnect capability from Invensas at its Avezzano, Italy, wafer fab. Invensas is a wholly owned subsidiary of Xperi Corp. The addition of DBI enables SMIC to manufacture hybrid stacked backside illuminated image sensors, as well as other semiconductor devices for applications in smartphones and automobiles. SMIC and Invensas previously signed a development license in March 2017. DBI technology is a low temperature hybrid wafer bonding solution that allows wafers to be bonded with scalable fine pitch 3D electrical interconnect without requiring bond pressure. DBI 3D interconnect can eliminate the need for through-silicon vias and reduce die size and cost while enabling pixel level interconnect for future generations of image sensors.

więcej na: www.eenewseurope.com

Produkty