Dostawcy tranzystorów mocy zarobią

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów.

Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy.

Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

Posłuchaj
00:00

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów.

Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy.

Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Pomiary
RFID 2026-2036: prognozy, gracze i możliwości
Zasilanie
SiC i GaN zasilają rewolucję AI: półprzewodniki, które zmieniają oblicze centrów danych
Projektowanie i badania
Odporność danych wchodzi na nowy poziom: Veeam przejmuje Securiti AI
Komunikacja
Samsung i Google przyspieszają rewolucję XR
Mikrokontrolery i IoT
ME Embedded i Congatec - partnerstwo, które przyspieszy rozwój systemów automatyki i IoT
Aktualności
W czwartek w Warszawie startuje Evertiq Expo
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Informacje z firm
Grupa RENEX zaprasza na targi Evertiq EXPO Warszawa 2025
Magazyn
Październik 2025
Magazyn
Wrzesień 2025

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów