Dostawcy tranzystorów mocy zarobią

| Gospodarka

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów. Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy. Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

Dostawcy tranzystorów mocy zarobią

Wartość rynku tranzystorów mocy będzie w najbliższych latach szybko rosnąć, wynika z najnowszego raportu IC Insights. Firma prognozuje, że w 2010 roku będzie ona stanowiła 54% wartości całego rynku elementów dyskretnych i wyniesie globalnie 10,5 mld dolarów.

Głównym czynnikiem wzrostu, który jest prognozowany na 3% w tym i 9% w przyszłym roku, ma być zapotrzebowanie ze strony producentów urządzeń przenośnych. Jednocześnie obserwować będzie można trend integrowania w układach scalonych coraz większej liczby bloków, w których obecnie stosuje się dyskretne tranzystory mocy.

Wzrost zapotrzebowania na przyrządy mocy w latach 2005-2010 będzie różny w zależności od ich typów. W przypadku niskonapięciowych tranzystorów mocy MOSFET wyniesie on 6% w skali roku (do 4,3 mld dolarów za 4 lata), o 3% więcej wzrośnie w tym okresie wartość segmentu przyrządów o napięciach pracy powyżej 200V (do 1,7 mld dolarów). Najszybciej rosnącą grupą elementów z omawianego segmentu powinny być przyrządy IGBT, stosowane najczęściej w aplikacjach motoryzacyjnych, przemysłowych, związanych z oświetleniem oraz w urządzeniach domowych. Wartość segmentu rynkowego tych tranzystorów wzrośnie pod koniec omawianego okresu do 1,6 mld dolarów, co oznacza średni roczny wzrost na poziomie 14%.

Zobacz również