Freescale Semiconductor na prowadzeniu wyścigu do MRAM

Pamięci MRAM od teraz w produkcji masowej

Pamięci MRAM (Magnetoresistive RAM), po latach oczekiwań i wytwarzania egzemplarzy próbnych, zostały skomercjalizowane – układy o oznaczeniu MR2A16A i pojemności 4,2Mb dostępne są od końca lipca w firmie Freescale Semiconductor. Chociaż ich obecna cena, która wynosi przy zakupie hurtowym 25 dolarów za sztukę, nie zachęca do natychmiastowej wymiany już stosowanych pamięci na MRAM, cechy tych ostatnich z pewnością sprawią, że pamięci te będą zdobywały kolejne sektory rynku. MRAM są, podobnie jak Flash, pamięciami nieulotnymi, jednocześnie czas ich zapisu i odczytu jest porównywalny z parametrami pamięci DRAM – w przypadku MR2A16A wynosi on dla każdej z wymienionych operacji 35ns.

Firma Motorola, z której wywodzi się Freescale Semiconductor, zademonstrowała próbki pamięci MRAM analogiczne do omawianych układów już trzy lata temu. Choć był to jeden przełomów na drodze rozwoju pamięci magnetorezystancyjnych, na ich komercjalizację trzeba było poczekać. Oferowany od lipca przez Freescale Semiconductor układ MR2A16A jest pamięcią o wielkości 4,2Mb zorganizowaną jest jako matryca 256 tys. słów 16-bitowych. Układ zasilany jest napięciem 3,3V i przewidziany do pracy w temperaturach od 0°C do 70°C.
Posłuchaj
00:00
Pamięci MRAM od teraz w produkcji masowej

Pamięci MRAM (Magnetoresistive RAM), po latach oczekiwań i wytwarzania egzemplarzy próbnych, zostały skomercjalizowane – układy o oznaczeniu MR2A16A i pojemności 4,2Mb dostępne są od końca lipca w firmie Freescale Semiconductor. Chociaż ich obecna cena, która wynosi przy zakupie hurtowym 25 dolarów za sztukę, nie zachęca do natychmiastowej wymiany już stosowanych pamięci na MRAM, cechy tych ostatnich z pewnością sprawią, że pamięci te będą zdobywały kolejne sektory rynku. MRAM są, podobnie jak Flash, pamięciami nieulotnymi, jednocześnie czas ich zapisu i odczytu jest porównywalny z parametrami pamięci DRAM – w przypadku MR2A16A wynosi on dla każdej z wymienionych operacji 35ns.

Zdjęcie struktury układu MR2A16A oraz rysunek jego obudowy

Firma Motorola, z której wywodzi się Freescale Semiconductor, zademonstrowała próbki pamięci MRAM analogiczne do omawianych układów już trzy lata temu. Choć był to jeden przełomów na drodze rozwoju pamięci magnetorezystancyjnych, na ich komercjalizację trzeba było poczekać. Oferowany od lipca przez Freescale Semiconductor układ MR2A16A jest pamięcią o wielkości 4,2Mb zorganizowaną jest jako matryca 256 tys. słów 16-bitowych. Układ zasilany jest napięciem 3,3V i przewidziany do pracy w temperaturach od 0°C do 70°C. Układ oferowany jest w 44-wyprowadzeniowej obudowie TSOP, co jest standardem m.in. dla pamięci SRAM. Czasy dostępu do danych, zarówno przy odczycie, jak i zapisie, są identyczne i wynoszą 35ns. Warto zaznaczyć, że pamięć, jak podaje producent, charakteryzuje się nieskończoną liczbą możliwych cykli operacji zapisu/odczytu. Czas przechowywania danych bez zasilania układu jest szacowany na 10 lat. Układ wytwarzany jest w wytwórni firmy w Chandler (USA) na podłożach 200mm i chroniony ponad 100 patentami firmy Freescale Semiconductor.

Układy MR2A16A, jak już wspomniano, nie są tanie – cena podawana na stronie internetowej producenta to 25 dolarów za sztukę w hurcie. Jest to dużo, porównując z cenami detalicznie dostępnych pamięci DRAM. Te ostatnie, w przypadku pamięci o pojemności 512MB, kosztują 34 dolary, a więc niewiele więcej niż MR2A16A, przy czym ich pojemność jest 1024 razy większa.

Ceny pamięci magnetorezystancyjnych powinny jednak maleć, wraz z upowszechnianiem się układów tego typu. MRAM są od dawna uważane za układy, które mogą być następcą pamięci Flash w urządzeniach przenośnych, szczególnie telefonach komórkowych, PDA i aparatach cyfrowych, jak też, z czasem, w wielu innych urządzeniach stacjonarnych. Freescale Semiconductor ocenia, że istotnym rynkiem dla produkowanych pamięci będą również układy mikroprocesorowe stosowane w motoryzacji.
Powiązane treści
Globalny rynek MRAM do 2021 roku będzie rósł w imponującym tempie - CAGR 94%
11 mitów dotyczących technologii MRAM
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
Odporność danych wchodzi na nowy poziom: Veeam przejmuje Securiti AI
Komunikacja
Samsung i Google przyspieszają rewolucję XR
Mikrokontrolery i IoT
ME Embedded i Congatec - partnerstwo, które przyspieszy rozwój systemów automatyki i IoT
Aktualności
W czwartek w Warszawie startuje Evertiq Expo
Zasilanie
Eneris uruchomił w Siemiatyczach elektrownię PV
Produkcja elektroniki
Holenderski rząd przejmuje kontrolę nad firmą Nexperia
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Informacje z firm
Grupa RENEX zaprasza na targi Evertiq EXPO Warszawa 2025
Magazyn
Październik 2025
Magazyn
Wrzesień 2025

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów