wersja mobilna
Online: 405 Poniedziałek, 2018.01.22

Biznes

Freescale Semiconductor na prowadzeniu wyścigu do MRAM

piątek, 15 września 2006 13:37
Pamięci MRAM od teraz w produkcji masowej

Pamięci MRAM (Magnetoresistive RAM), po latach oczekiwań i wytwarzania egzemplarzy próbnych, zostały skomercjalizowane – układy o oznaczeniu MR2A16A i pojemności 4,2Mb dostępne są od końca lipca w firmie Freescale Semiconductor. Chociaż ich obecna cena, która wynosi przy zakupie hurtowym 25 dolarów za sztukę, nie zachęca do natychmiastowej wymiany już stosowanych pamięci na MRAM, cechy tych ostatnich z pewnością sprawią, że pamięci te będą zdobywały kolejne sektory rynku. MRAM są, podobnie jak Flash, pamięciami nieulotnymi, jednocześnie czas ich zapisu i odczytu jest porównywalny z parametrami pamięci DRAM – w przypadku MR2A16A wynosi on dla każdej z wymienionych operacji 35ns.

Firma Motorola, z której wywodzi się Freescale Semiconductor, zademonstrowała próbki pamięci MRAM analogiczne do omawianych układów już trzy lata temu. Choć był to jeden przełomów na drodze rozwoju pamięci magnetorezystancyjnych, na ich komercjalizację trzeba było poczekać. Oferowany od lipca przez Freescale Semiconductor układ MR2A16A jest pamięcią o wielkości 4,2Mb zorganizowaną jest jako matryca 256 tys. słów 16-bitowych. Układ zasilany jest napięciem 3,3V i przewidziany do pracy w temperaturach od 0°C do 70°C.
Pamięci MRAM od teraz w produkcji masowej

Pamięci MRAM (Magnetoresistive RAM), po latach oczekiwań i wytwarzania egzemplarzy próbnych, zostały skomercjalizowane – układy o oznaczeniu MR2A16A i pojemności 4,2Mb dostępne są od końca lipca w firmie Freescale Semiconductor. Chociaż ich obecna cena, która wynosi przy zakupie hurtowym 25 dolarów za sztukę, nie zachęca do natychmiastowej wymiany już stosowanych pamięci na MRAM, cechy tych ostatnich z pewnością sprawią, że pamięci te będą zdobywały kolejne sektory rynku. MRAM są, podobnie jak Flash, pamięciami nieulotnymi, jednocześnie czas ich zapisu i odczytu jest porównywalny z parametrami pamięci DRAM – w przypadku MR2A16A wynosi on dla każdej z wymienionych operacji 35ns.

Zdjęcie struktury układu MR2A16A oraz rysunek jego obudowy

Firma Motorola, z której wywodzi się Freescale Semiconductor, zademonstrowała próbki pamięci MRAM analogiczne do omawianych układów już trzy lata temu. Choć był to jeden przełomów na drodze rozwoju pamięci magnetorezystancyjnych, na ich komercjalizację trzeba było poczekać. Oferowany od lipca przez Freescale Semiconductor układ MR2A16A jest pamięcią o wielkości 4,2Mb zorganizowaną jest jako matryca 256 tys. słów 16-bitowych. Układ zasilany jest napięciem 3,3V i przewidziany do pracy w temperaturach od 0°C do 70°C. Układ oferowany jest w 44-wyprowadzeniowej obudowie TSOP, co jest standardem m.in. dla pamięci SRAM. Czasy dostępu do danych, zarówno przy odczycie, jak i zapisie, są identyczne i wynoszą 35ns. Warto zaznaczyć, że pamięć, jak podaje producent, charakteryzuje się nieskończoną liczbą możliwych cykli operacji zapisu/odczytu. Czas przechowywania danych bez zasilania układu jest szacowany na 10 lat. Układ wytwarzany jest w wytwórni firmy w Chandler (USA) na podłożach 200mm i chroniony ponad 100 patentami firmy Freescale Semiconductor.

Układy MR2A16A, jak już wspomniano, nie są tanie – cena podawana na stronie internetowej producenta to 25 dolarów za sztukę w hurcie. Jest to dużo, porównując z cenami detalicznie dostępnych pamięci DRAM. Te ostatnie, w przypadku pamięci o pojemności 512MB, kosztują 34 dolary, a więc niewiele więcej niż MR2A16A, przy czym ich pojemność jest 1024 razy większa.

Ceny pamięci magnetorezystancyjnych powinny jednak maleć, wraz z upowszechnianiem się układów tego typu. MRAM są od dawna uważane za układy, które mogą być następcą pamięci Flash w urządzeniach przenośnych, szczególnie telefonach komórkowych, PDA i aparatach cyfrowych, jak też, z czasem, w wielu innych urządzeniach stacjonarnych. Freescale Semiconductor ocenia, że istotnym rynkiem dla produkowanych pamięci będą również układy mikroprocesorowe stosowane w motoryzacji.
 

World News 24h

niedziela, 21 stycznia 2018 20:03

Schneider Electric SE said that hackers had exploited a flaw in its technology in a watershed incident discovered last month that halted operations at an undisclosed industrial facility. News of the breach surfaced on Dec. 14, when cyber security firms disclosed that hackers, likely working for a nation state, had invaded one of Schneider’s Triconex safety systems. Neither Schneider nor cyber experts have identified the target. Schneider initially told customers it believed the hack did not exploit a bug in the Triconex system. The system is used in nuclear facilities, oil and gas plants, mining, water treatment facilities and other plants to safely shut down industrial processes when hazardous conditions are detected. It is the first reported cyber attack on this type of system.

więcej na: www.reuters.com