Podzespoły półprzewodnikowe
1-amperowy przekaźnik SSR o izolacji wejście-wyjście do 4 kV
CPC1984Y, najnowszy przekaźnik półprzewodnikowy dużej mocy z oferty firmy Littelfuse, został zaprojektowany do zastosowań w układach napędowych, miernikach energii elektrycznej, aparaturze medycznej i w urządzeniach AGD. Charakteryzuje się izolacją między wejściem i wyjściem wynoszącą 4 kV przy napięciu blokowania 600 V i dwukrotnie większym dopuszczalnym prądzie przewodzenia od wcześniejszej wersji, wynoszącym 1 ADC/1 A rms.
Podzespoły półprzewodnikowe
Kontroler USB Type-C/PD o wydajności prądowej 3 A
Firma FTDI Chip opracowała nowy kontroler USB Type-C z funkcją zasilania USB power delivery (PD) Rev. 3.0, oznaczony symbolem FT4233H. Układ ten zapewnia wydajność prądową 3 A, wykraczającą poza wymogi elektroniki konsumenckiej i pozwalającą na zasilanie np. elektronarzędzi, urządzeń AGD, instalacji oświetleniowych i innych o poborze mocy do 100 W.
Podzespoły pasywne
Bezołowiowe rezystory wysokonapięciowe dla przemysłu i medycyny
Biorąc pod uwagę coraz ostrzejsze kryteria dotyczące zawartości ołowiu w urządzeniach elektronicznych, firma TT Electronics opracowała serię bezołowiowych, wysokonapięciowych rezystorów grubowarstwowych GHVC (Green High-Voltage Chip), mogących znaleźć zastosowanie m.in. w zasilaczach, wyłącznikach automatycznych i aparaturze medycznej. Nowe rezystory występują w wersjach o rezystancji od 25 kW do 100 MW z szeregu E24 i E96.
Podzespoły pasywne
Szybkie zabezpieczenia nadprądowe do interfejsów RS-485
Do oferty firmy Bourns trafiły dwa nowe układy serii TBU, realizujące szybkie zabezpieczenie nadprądowe interfejsu RS-485. Są to zabezpieczenia elektroniczne ECL (Electronic Current Limiter) wykonane w oparciu o technologię MOSFET, charakteryzujące się łatwą implementacją i czasem reakcji poniżej 1 ms. Zapewniają dwukierunkową ochronę dwóch linii transmisyjnych. Są zamykane w obudowach SMD o wymiarach 6,5 x 5,5 x 0,9 mm.
Podzespoły półprzewodnikowe
Regulator LDO o powierzchni 1,09 x 0,74 mm i wydajności prądowej 300 mA
TPS7A10 to regulator LDO o zakresie napięć wejściowych od 0,75 do 3,3 V i ustalonym fabrycznie napięciu wyjściowym z zakresu od 0,6 do 3,0 V, programowanym w krokach co 50 mV. Został zaprojektowany do zastosowań w urządzeniach o bardzo dużej gęstości upakowania podzespołów. Zapewnia 1,5-procentową dokładność stabilizacji w całym dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych, prądów wyjściowych i temperatur otoczenia.
Podzespoły półprzewodnikowe
Precyzyjny 3-osiowy czujnik nachylenia z wyjściem kąta i interfejsem SPI
Murata wprowadza na rynek nowy 3-osiowy czujnik nachylenia SCL3300-D01, wyposażony w wyjście kąta i interfejs SPI oraz w analogowo-cyfrowy układ ASIC realizujący przetwarzanie sygnału pomiarowego. Eliminuje to konieczność współpracy z zewnętrznym przetwornikiem A/C oraz ogranicza liczbę podzespołów, ułatwiając projektowanie płytki drukowanej.
Podzespoły półprzewodnikowe
Energooszczędne moduły LoRa SiP w obudowach BGA o powierzchni 6 x 6 mm
Microchip wprowadza na rynek serię układów LoRa SiP (System-in-Package) o oznaczeniach SAM R34/35 z wewnętrznym, energooszczędnym mikrokontrolerem 32-bitowym, transceiverem LoRa i wbudowanym stosem protokołów. Dostępne są do nich certyfikowane projekty referencyjne, sprawdzone pod względem kompatybilności z najpopularniejszymi bramkami dostępowymi LoRaWAN i serwisami dostawców usług, co ułatwia projektowanie węzłów sieciowych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory GaN HEMT 600 V i sterowniki GaN w masowej produkcji
Infineon rozpoczyna masową produkcję 600-woltowych tranzystorów CoolGaN HEMT i sterowników bramek EiceDRIVER realizowanych na podłożach z azotku galu. Obie te serie układów cechują się bardzo dużą gęstością mocy, pozwalającą na realizację mniejszych i lżejszych urządzeń. Obecnie Infineon jest jedynym producentem posiadającym w ofercie podzespoły półprzewodnikowe dużej mocy realizowane w wersjach na trzech typach podłoży: krzemowych, SiC i GaN.
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterowniki silników BLDC o sprawności sięgającej 98%
Firma Power Integrations dodaje do oferty nową serię półmostkowych sterowników BridgeSwitch, zapewniających sprawność do 98% w układach sterowania silników BLDC o mocy do 300 W. Zawierają one n-kanałowe tranzystory FREDFET (Fast Recovery Diode FET) w torze high-side i low-side oraz bezstratny układ pomiaru prądu. W zestawieniu z obudową o skutecznym odprowadzaniu ciepła, nie wymagają współpracy z radiatorem przy pracy z pełnym prądem znamionowym, redukując koszt i masę projektowanych urządzeń.