Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Zasilanie

Artykuły Produkty
Podzespoły elektromechaniczne
Bezpieczniki kasetowe z kwalifikacją AEC-Q200 o zdolności wyłączania do 10 kA @ 1000 VDC
Oferta bezpieczników kasetowych firmy Littelfuse powiększyła się o nową serię bezpieczników z ...
Automatyzacja procesów
4- i 8-gigabajtowe przemysłowe pamięci eMMC zgodne ze specyfikacją JEDEC eMMC v5.1
Alliance Memory wprowadza na rynek dwie nowe karty pamięci eMMC klasy przemysłowej: ASFC4G31M-51BIN ...
Podzespoły półprzewodnikowe
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ
SiJH600E to 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET linii TrenchFET zaprojektowany z myślą o zastosowaniach ...
Źródła zasilania
1200-watowy nieizolowany konwerter DC-DC formatu quarter-brick
BMR350 to nieizolowany konwerter DC-DC formatu quarter-brick (58,4 x 36,8 mm) o wyjściowej mocy szczytowej ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA
Do oferty firmy Nexperia wchodzą cztery nowe serie miniaturowych diod Zenera, zamykanych w obudowach ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym
Przełączniki zasilania nowej serii TCK12xBG firmy Toshiba wyróżniają się rekordowo małym poborem ...
Elementy optoelektroniczne
Emitery IR o małych gabarytach i dużej intensywności promieniowania
Emitery podczerwieni nowej serii SurfLight firmy Vishay różnią się od poprzedników większą o 30% ...
Źródła zasilania
Zasilacze medyczne TPP oraz przemysłowe TPI
Serie TPP i TPI to zasilacze o mocach od 40W do 300W, zgodne z normami medycznymi, IT i przemysłowymi. ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ
Microchip wprowadza do sprzedaży nowy, wysokonapięciowy tranzystor MOSFET produkowany na podłożu ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności
Infineon po raz kolejny podnosi poprzeczkę w zakresie ograniczania strat mocy tranzystorów MOSFET, ...