Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Zasilanie

Artykuły Produkty
Źródła zasilania
20-watowy konwerter DC-DC do taboru kolejowego z opatentowaną, rozszerzoną funkcją hold-up
Firma P-Duke Power wprowadza do oferty serię 20-watowych konwerterów DC-DC, zaprojektowanych do zastosowań ...
Podzespoły pasywne
Wysokostabilny 2-osiowy czujnik nachylenia MEMS z interfejsem SPI
Murata opracowała nowy 2-osiowy czujnik nachylenia MEMS z interfejsem SPI, charakteryzujący się bardzo ...
Podzespoły pasywne
Czujniki temperatury o ultramałym poborze prądu i dokładności ±0,2°C
Do oferty firmy Sensirion wchodzi 4. generacja czujników temperatury STS40, wyróżniających się małymi ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu
Do rodziny 5-woltowych wzmacniaczy operacyjnych firmy STMicroelectronics wchodzi podwójny, precyzyjny ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A
AOZ18101DI to programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Allegro MicroSystems wprowadza na rynek nowy czujnik prędkości obrotowej i odległości, zaprojektowany ...
Automatyzacja procesów
Jedno- i dwukanałowe karty digitizerów PCIe o szybkości transmisji danych 12,8 GBps
Firma Spectrum Instrumentation wprowadziła na rynek dwie nowe karty digitizerów na szynę PCIe Gen. ...
Urządzenia i wyposażenie produkcji
Komputer kompaktowy z modułem Jetson Nano™, portem PoE oraz 40-pinowym złączem I/O
Podzespoły półprzewodnikowe
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
HiperPFS-5 to nowy quasi-rezonansowy kontroler PFC z oferty firmy Power Integrations, zawierający własny ...
Podzespoły półprzewodnikowe
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
Rohm rozpoczyna produkcję nowej serii tranzystorów GaN HEMT, charakteryzujących się dużą dopuszczalną ...