40-woltowe tranzystory STripFET F8 MOSFET o bardzo małych stratach przy przewodzeniu i przełączaniu

Nowe 40-woltowe tranzystory STripFET F8 MOSFET firmy STMicroelectronics wykazują bardzo małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu, wynikające z zastosowanej technologii Trench. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach napędowych, dystrybucji zasilania i konwersji mocy.

STL320N4LF8 i STL325N4LF8AG mogą być sterowane bezpośrednio z wyjść układów logicznych. Charakteryzują się rezystancją R_DS(on) wynoszącą odpowiednio 0,8 mΩ i 0,75 mΩ przy napięciu V_GS równym 10 V oraz dużym dopuszczalnym prądem drenu, wynoszącym odpowiednio 360 A i 373 A @ 25°C. Oba są zamykane w obudowach PowerFLAT 5x6 o małej rezystancji termicznej. Technologia STripFET F8 zapewnia krótkie czasy przełączania, wynikające z małej pojemności wewnętrznej, co pozwala na pracę z częstotliwością taktowania od 600 kHz do 1 MHz, a w konsekwencji na współpracę z miniaturowymi zewnętrznymi cewkami i kondensatorami oraz uzyskanie dużej gęstości mocy. Dzięki małym oscylacjom napięcia dren-źródło i łagodnej charakterystyce regeneracyjnej wewnętrznej diody zabezpieczającej, oba tranzystory zapewniają bardzo małą emisję elektromagnetyczną w porównaniu z innymi tranzystorami o zbliżonych parametrach, dostępnymi obecnie na rynku. Małe różnice napięcia progowego V_GS(th) pomiędzy różnymi egzemplarzami ułatwiają równoległe łączenie kilku tranzystorów w celu zwiększenia sumarycznego prądu wyjściowego. Dodatkową zaletą jest duża odporność na zwarcie (nawet do 1000 A dla impulsów o szerokości <10 µs).

Ceny hurtowe STL320N4LF8 i STL325N4LF8AG zaczynają się odpowiednio od 1,29 SUD i 1,40 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. STL325N4LF8AG uzyskał kwalifikację AEC-Q101, pozwalającą na zastosowania w motoryzacji.