Diody transil HXY MOSFET serii SMBJ: ochrona przed przepięciami o mocy 600 W

Seria diod transil SMBJ marki HXY MOSFET to wyspecjalizowane komponenty o mocy impulsowej 600 W, zaprojektowane do ochrony wrażliwych układów elektronicznych przed skutkami przepięć. Podzespoły te, dostępne w wersjach jednokierunkowych i dwukierunkowych, znajdują szerokie zastosowanie w automatyce przemysłowej, motoryzacji oraz systemach zasilania. Dzięki kompaktowej obudowie SMB i szerokiemu zakresowi napięć pracy stanowią one wydajną alternatywę dla popularnych rozwiązań rynkowych.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google
Posłuchaj
00:00

Diody transil HXY SMBJ 600 W – ochrona układów elektronicznych przed przepięciami

Seria diod transil HXY MOSFET SMBJ to elementy zabezpieczające przeznaczone do ochrony układów elektronicznych przed krótkotrwałymi przepięciami i impulsami napięciowymi. Elementy dostępne są w wersjach jednokierunkowych (A) i dwukierunkowych (CA), w kompaktowej obudowie SMB do montażu powierzchniowego (SMD).

Parametry techniczne i dostępne warianty

Moc impulsowa serii wynosi 600 W (0,6 kW), a dostępne napięcia pracy obejmują wartości: 5 V, 24 V, 28 V, 30 V, 33 V, 36 V oraz 58 V. Dobór wariantu jednokierunkowego lub dwukierunkowego zależy od wymagań konkretnego układu elektronicznego.

W ofercie znajdują się następujące modele:

  • SMBJ5.0A – 5 V, jednokierunkowy
  • SMBJ5.0CA – 5 V, dwukierunkowy
  • SMBJ24A – 24 V, jednokierunkowy
  • SMBJ28A – 28 V, jednokierunkowy
  • SMBJ30A – 30 V, jednokierunkowy
  • SMBJ33A – 33 V, jednokierunkowy
  • SMBJ33CA – 33 V, dwukierunkowy
  • SMBJ36A – 36 V, jednokierunkowy
  • SMBJ58CA – 58 V, dwukierunkowy

Wszystkie wymienione modele mogą być stosowane jako zamienniki wybranych diod z serii SM6T i P6SMB, przy zachowaniu zgodności parametrów.

Obszary zastosowań

Diody serii SMBJ znajdują zastosowanie wszędzie tam, gdzie układy elektroniczne są narażone na krótkotrwałe impulsy napięniowe. Obejmuje to ochronę układów zasilających i linii sygnałowych, zabezpieczenie tranzystorów MOSFET oraz innych elementów półprzewodnikowych, a także ochronę układów sterujących w automatyce przemysłowej i elektronice samochodowej. Szczególnie istotnym obszarem zastosowań jest zabezpieczanie układów narażonych na przepięcia powstające podczas przełączania obciążeń indukcyjnych. Elementy te stosowane są również w zasilaczach, sterownikach i modułach elektronicznych pracujących w środowiskach o podwyższonym poziomie zakłóceń elektrycznych.

Podsumowanie

Diody transil HXY MOSFET SMBJ o mocy impulsowej 600 W stanowią wszechstronne rozwiązanie zabezpieczające dla szerokiego spektrum układów elektronicznych. Dostępność wielu wariantów napięciowych, obu kierunkowości oraz możliwość stosowania jako zamienniki elementów z serii SM6T i P6SMB zwiększają elastyczność projektową.

Źródło: Micros sp. j. W. Kędra i J. Lic

Więcej na www.micros.com.pl
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł

Pamięć i dyski – komponenty, które muszą sprostać próbie czasu

Rozmowa z Robertem Sepetą, Business Development Managerem w polskim oddziale firmy Kingston Technology.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów