Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Artykuły Produkty
Automatyzacja procesów
Dwa nowe zestawy projektowe NXP
W ofercie firmy Farnell element14 pojawiły się nowe zestawy inżynierskie NXP: płytka projektowa LPCXpresso ...
Podzespoły półprzewodnikowe
n-kanałowy MOSFET o szerokim obszarze SOA i małej rezystancji RDS(on)
Firma Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET rodziny NextPower Live o nowy model PSMN3R7-100BSE ...
Moduły elektroniczne OEM
Kontroler ładowania bezprzewodowego akumulatorów litowo-jonowych
LTC4126 to miniaturowy kontroler ładowania bezprzewodowego akumulatorów litowo-jonowych, zoptymalizowany ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Wskaźnik temperatury do portów i kabli USB-C
Na targach Electronica India 2018 firma Littelfuse zaprezentowała wskaźnik temperatury setP (ozn. SETP0805-100-SE) ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterownik haptyczny o małym opóźnieniu do współpracy z siłownikami LRA i silnikami wibracyjnymi
PAM8016 to sterownik haptyczny o małym opóźnieniu, dużej sprawności energetycznej i dużej wydajności ...
Podzespoły pasywne
Ceramiczne kondensatory chipowe na napięcia 50 i 100 V z kwalifikacją militarną MIL-PRF-123
Firma AVX wprowadziła do oferty nową serię ceramicznych kondensatorów chipowych MLCC z kwalifikacją ...
Mierniki wielkości nieelektrycznych
Energooszczędne czujniki temperatury o napięciu zasilania 1,8 V
Microchip wprowadza do oferty rodzinę energooszczędnych czujników temperatury EMC181x o napięciu ...
Podzespoły energoelektroniczne
1-watowy konwerter 5->60 V
Firma Schmid-Multitech wprowadza na rynek nową serię niestabilizowanych jednowyjściowych izolowanych ...
Elementy optoelektroniczne
20-watowa biała dioda LED do samochodowych systemów DMD
Firma Osram opracowała nową, białą diodę LED o mocy 20,1 W przeznaczoną do zastosowań w reflektorach ...
Podzespoły pasywne
Tranzystor MOSFET SiC o napięciu przebicia 1700 V i rezystancji RDS(on) od 750 mΩ
LSIC1MO170E1000 to najnowszy w ofercie Littelfuse tranzystor MOSFET zrealizowany na podłożu SiC, którego ...