n-kanałowy MOSFET o szerokim obszarze SOA i małej rezystancji R_DS(on)

Firma Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET rodziny NextPower Live o nowy model PSMN3R7-100BSE charakteryzujący się równocześnie optymalnie dobraną szerokością obszaru bezpiecznej pracy (SOA) i rezystancją R_DS(on). Został on zaprojektowany do zastosowań w układach hot-swap i miękkiego startu, przełącznikach zasilania i aplikacjach e-fuse.

Aby zapewnić możliwość pracy z dużym prądem rozruchowym, występującym m.in. przy wymianie karty rozszerzeń w działającym systemie, wymagany jest tranzystor MOSFET o szerokim obszarza SOA, współpracujący z kontrolerem hot-swap. W tranzystorach wcześniejszych generacji poświęcano szerokość obszaru SOA na rzecz uzyskania jak najmniejszej rezystancji R_DS(on), natomiast w nowych tranzystorach do tego typu zastosowań zakres SOA został rozszerzony, zapewniając lepsze właściwości w obszarze liniowym.

W najnowszym tranzystorze PSMN3R7-100BSE współczynnik SOA poszerzono 4-krotnie w zakresie liniowym w stosunku do wersji standardowych, zachowując R_DS(on) wynoszący maksymalnie 3,95 mΩ (typ. 3,36 mΩ) - mniej o około 18% niż we wcześniejszych modelach.

Jest to tranzystor n-kanałowy, zamykany w obudowie D²Pak, mogący pracować przy temperaturze złącza sięgającej +175°C z dopuszczalnym prądem drenu 120 A. Nadaje się do współpracy z kontrolerami hot-swap wszystkich czołowych producentów.