Tranzystor MOSFET SiC o napięciu przebicia 1700 V i rezystancji R_DS(on) od 750 mΩ

LSIC1MO170E1000 to najnowszy w ofercie Littelfuse tranzystor MOSFET zrealizowany na podłożu SiC, którego napięcie przebicia wynosi 1700 V, a rezystancja R_DS(on) typowo 750 mW przy V_GS=20 V. Może on pracować w wysokoczęstotliwościowych układach konwersji mocy wymagających zapewnienia dużej sprawności energetycznej, np. w pojazdach hybrydowych i elektrycznych, centrach danych, grzejnikach indukcyjnych i falownikach w systemach solarnych.

Stanowi uzupełnienie wcześniejszych 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET. W porównaniu z krzemowymi tranzystorami IGBT o zbliżonych parametrach pozwala bardziej elastycznie optymalizować system, zapewniając mniejsze straty przy przełączaniu i większą gęstość mocy oraz mniejsze wymagania odnośnie chłodzenia.

Pozostałe parametry:

• I_D (ciągły): 5 A @ 25°C; 3,5 A @ 100°C,
• I_D (w impulsie): 15 A @ 25°C,
• V_GS: -5...20 V,
• C_ISS: 200 pF,
• C_OSS: 11 pF,
• Q_G: 15 nC,
• R_G: 5,8 Ω.

LSIC1MO170E1000 jest zamykany w obudowie TO-247-3L.