Ultra-szybki moduł do charakteryzacji prądowo-napięciowej półprzewodników

Firma Keithley zaprezentowała ultra-szybki moduł 4225-PMU do charakteryzacji prądowo-napięciowej półprzewodników, dostępny jako opcja dla testera 4200-SCS. 

Zawiera on szybki generator sygnałów testowych o szerokim zakresie dynamicznym i rejestrator prądu/napięcia. Odznacza się krótkimi czasami narastania/opadania sygnałów i możliwością wytwarzania bardzo krótkich impulsów. Generuje cztery typy przebiegów: linowy, impulsowy, AWG i opatentowany przez Keithley przebieg Segment ARB zawierający do 2048 definiowanych przez użytkownika sekwencji.

W odróżnieniu od poprzednich rozwiązań wymagających nawet trzech odrębnych stanowisk testowych do pełnej charakteryzacji podzespołów, materiałów i procesów, obecnie wszystko to można zrealizować na pojedynczym stanowisku wyposażonym w moduły:

• 4200-SMU do precyzyjnego wyznaczania charakterystyk stałoprądowych V-I,
• 4210-CVU do wyznaczania impedancji AC,
• 4225-PMU do rejestracji czasowej przebiegów prądowych i napięciowych.

Moduł 4225-PMU zawiera dwa kanały pomiarowe, przy czym zajmuje tylko jeden slot w obudowie testera. Możliwa jest współpraca maksymalnie 4 modułów 4225-PMU. Szybkie wyjścia generatora wytwarzają impulsy o długości już od 60ns, a wejścia pomiarowe umożliwiają równoczesną rejestrację prądów i napięć, zapewniając szybkość próbkowania do 200 MS/s i 14-bitową rozdzielczość.

Każdy z kanałów zawiera po dwa przetworniki A/C. Dostępne są dwa zakresy pomiarowe dla napięć (±10V i ±40V) oraz cztery zakresy pomiarowe dla prądów (800mA, 200mA, 10mA i 100µA). Każdy moduł 4225-PMU może być wyposażony w dwie opcjonalne głowice wzmacniająco-przełączające 4225-RPM, co daje cztery dodatkowe kanały pomiaru prądu. Głowice 4225-RPM redukują pojemność kabli i umożliwiają automatyczne przełączanie pomiędzy kartami 4225-PMU, 4210-CVU i innymi, zainstalowanymi w slotach testera.

Dostępny jest odpowiednik 4225-PMU o symbolu 4225-PGU, wyposażony jedynie w funkcję generatora. Moduły 4225-PMU i 4225-PGU mogą być stosowane do charakteryzacji m.in. układów CMOS, pamięci nieulotnych i półprzewodników wykonywanych w technologii GaN/GaAs.