Obudowa PowerDI8080-5 o wymiarach: 8×8 mm zajmuje tylko 40% powierzchni obudowy TO-263 (D2PAK), co pozwala znacząco zmniejszyć zapotrzebowanie na miejsce na płytce PCB. Dzięki zmniejszonemu profilowi (1,7 mm) ma miejsce ułatwione stosowanie w aplikacjach o ograniczonej wysokości montażowej. Tranzystory MOSFET firmy Diodes Incorporated dostępne w obudowie PowerDI8080-5 zostały zaprojektowane z myślą o minimalizacji strat przewodzenia i zwiększeniu efektywności energetycznej w systemach zasilanych napięciem: 12, 24 lub 48 V DC.
Na szczególną uwagę zasługuje tranzystor DMTH10H1M7SPGWQ o napięciu "dren–źródło" VDS równym 100 V oraz rezystancji w stanie włączenia RDS(ON) wynoszącej 1,5 mΩ. Tak dobre parametry umożliwiają skuteczne ograniczenie strat mocy, co ma znaczenie w wymagających aplikacjach, takich jak napędy BLDC stosowanych m.in. w układach wspomagania kierownicy, systemach hamulcowych, czy przetwornicach pokładowych.
Producent oferuje także tranzystory przeznaczone do pracy przy niższych napięciach „dren-źródło”. Przykładem jest model DMTH4M40SPGWQ charakteryzujący się napięciem VDS = 40 V i rezystancją RDS(ON) nie wyższą od 0,4 mΩ. Model ten sprawdza się doskonale w szerokim gamie aplikacji niskonapięciowych, w tym w systemach współpracujących z mikrokontrolerami, bez negatywnego wpływu na ich parametry pracy. Uzupełnieniem oferty są warianty o napięciu VDS równym 60 bądź 80 V, przewidziane odpowiednio do aplikacji zasilanych napięciem 24 V DC oraz zastosowań pośrednich.
Wszystkie tranzystory spełniają wymagania kwalifikacyjne dla branży motoryzacji i są produkowane zgodnie z normą IATF 16949. Dostępne są także warianty przeznaczone do zastosowań przemysłowych i komercyjnych. Komponenty są dobrze dopasowane do procesów produkcyjnych stosowanych w elektronice motoryzacyjnej, a dzięki niskiej rezystancji termicznej, sięgającej około 0,3 °C/W, mogą przewodzić bardzo duże prądy, nawet do 847 A, przy zachowaniu bezpiecznych warunków eksploatacji, bez względu na sytuację.
Więcej na: www.diodes.com
