Pamięci HYPERRAM 3.0 o przepustowości do 800 MBps

Infineon rozszerza ofertę pamięci RAM o dużej przepustowości i małej liczbie wyprowadzeń o nowe pamięci HYPERRAM 3.0 o pojemności 256 Mb. Zawierają one rozszerzony, 16-bitowy interfejs HyperBus, zapewniający przepustowość do 800 MBps. Są to pamięci energooszczędne, doskonale nadające się do aplikacji wymagających buforowania sygnałów wideo i wykonujących intensywne obliczenia matematyczne, a także automatyki przemysłowej, AIoT i motoryzacji.

HYPERRAM to pamięć ulotna oparta na PSRAM, zapewniająca szybkość transmisji porównywalną z SDR DRAM, ale przy mniejszej liczbie wyprowadzeń i mniejszym poborze mocy. Zwiększona przepustowość danych interfejsu HyperBus w przeliczeniu na pojedyncze wyprowadzenie umożliwia współpracę z mikrokontrolerami o mniejszej liczbie wyprowadzeń oraz stosowanie płytek drukowanych z mniejszą liczbą warstw. Daje to możliwości tworzenia projektów o mniejszej złożoności i niższej cenie.

Firma Infineon wprowadziła na rynek pierwszą generację pamięci HYPERRAM obsługujących interfejs HyperBus w 2017 roku. Pamięci HYPERRAM drugiej generacji, wprowadzone w 2021 roku, zapewniały obsługę interfejsów zgodnych z Octal xSPI i HyperBus JEDEC o szybkości transmisji do 400 Mbps. Układy HYPERRAM trzeciej generacji obsługują nowy, rozszerzony interfejs HyperBus, umożliwiający transfer danych z szybkością 800 MBps. Są obecnie dostępne w obudowach BGA-49 o powierzchni 8 x 8 mm. Pracują z napięciem zasilania 1,8 V.

Pamięci rodziny HYPERRAM występują w wersjach o pojemności od 64 Mb do 512 Mb. Uzyskały kwalifikację AEC-Q100 i nadają się do pracy w temperaturze otoczenia do 125°C.