Asynchroniczna pamięć SRAM 16 Mb o zwiększonej odporności na promieniowanie z korekcją ECC

Infineon rozszerza ofertę pamięci o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące. Do oferty firmy wchodzi nowa pamięć CYRS1069 o pojemności 16 Mb z korekcją ECC, przeznaczona do pracy w przestrzeni kosmicznej, zrealizowana w opatentowanej technologii RADSTOP. Występuje ona w konfiguracji z szyną o szerokości 8, 16 i 32 bitów. Charakteryzuje się krótkim czasem dostępu (10 ns) i małym poborem prądu, wynoszącym 90 mA w stanie aktywnym i 20 mA w trybie standby. Zapewnia retencję danych już przy napięciu zasilania 1,0 V oraz odporność na całkowitą dawkę napromieniowania do 200 Krad i cząstki jonizujące o energii do co najmniej 60 MeV*cm²/mg. Jest przystosowana do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do +125°C. Wejścia i wyjścia układu są kompatybilne z poziomami TTL.