Fotoprzekaźniki w miniaturowych obudowach VSON-4

Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty fotoprzekaźników cztery nowe wersje produkowane w miniaturowych obudowach VSON-4, przeznaczone do zastosowań w układach pomiarowych - testerach półprzewodnikowych, aparaturze medycznej czy kartach akwizycji danych. Są one mniejsze o 50% pod względem wymaganej powierzchni PCB od wcześniejszych wersji zamykanych w obudowach USOP-4 oraz o 60% pod względem wymaganej objętości.

TLP3475 i TLP3440 zostały zoptymalizowane do pracy z sygnałami o dużej częstotliwości, a TLP3417 i TLP3420 do przełączania dużych napięć, np. przy testach elementów półprzewodnikowych. Struktura wewnętrzna nowych fotoprzekaźników obejmuje fototranzystor MOSFET sprzężony optycznie z diodą emisyjną IR, upchnięte wewnątrz obudowy VSON-4 o wymiarach zaledwie 2,45 x 1,45 x 1,3 mm. Poza mniejszymi wymiarami zapewniają one większą szybkość przełączania, większą niezawodność, mniejszy pobór mocy i mniejsze szumy od przekaźników mechanicznych.

TLP3475 charakteryzuje się małą rezystancją w trybie ON, równą typowo 1 Ω i małą pojemnością wyjściową na poziomie 12 pF, co zapewnia małe zniekształcenia podczas transmisji sygnałów w.cz. Jego dopuszczalne napięcie na terminalach wynosi 50 V w stanie OFF, a dopuszczalne natężenie prądu przewodzenia 0,3 A.

W modelu TLP3440 zmniejszono prąd upływu dla sygnałów w.cz. w stanie OFF. Dopuszczalne napięcie na terminalach wynosi tu 40 V, dopuszczalny prąd przewodzenia w stanie ON to 0,12 A, rezystancja w stanie ON typowo 12 W, a pojemność wyjściowa 0,45 pF.

TLP3417 i TLP3420 to fotoprzekaźniki wysokonapięciowe, których dopuszczalne napięcie na zaciskach w stanie OFF wynosi odpowiednio 80 i 100 V, umożliwiając testowanie parametrów wysokonapięciowych układów SoC. Charakteryzują się one dopuszczalnym prądem kanału odpowiednio 0,12 A i 0,1 A, typową rezystancją w stanie ON 7 W i 8 Ω oraz typową pojemnością wyjściową 5 pF i 6 pF.

Wszystkie 4 fotoprzekaźniki z nowej oferty zapewniają izolację min. 300 V rms.