Szeregowe pamięci SRAM 1, 4 i 8 Mbit z wewnętrznym zegarem RTC

Cypress Semiconductor rozszerza ofertę nieulotnych pamięci SRAM o nowe serie pamięci szeregowych o pojemności 1, 4 i 8 Mbit, zintegrowanych z zegarem RTC.

Cypress Semiconductor rozszerza ofertę nieulotnych pamięci SRAM o nowe serie pamięci szeregowych o pojemności 1, 4 i 8 Mbit, zintegrowanych z zegarem RTC. Układy te są produkowane w technologii S8 SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) 0,13μm pozwalającej na osiągnięcie dużej gęstości struktur przy krótkim czasie dostępu do matrycy.

Oferta Cypress obejmuje obecnie pamięci nvSRAM o pojemności 1 Mbit i różnej konfiguracji matrycy, wyposażone w interfejs SPI i produkowane w obudowach DFN-8 (CY14B101Q1, CY14B101Q2) oraz SOIC-16 (CY14B101P, CY14B101Q3). CY14B101P zawiera zegar RTC. Dostępne są podobne pamięci o pojemności 4 Mbit (CY14B104K, CY14B104M) i 8 Mbit (CY14B108K, CY14B108M), wszystkie wyposażone w zegar RTC. Są zamykane w 44- i 54-wyprowadzeniowych obudowach TSOP. Pracują z częstotliwością taktowania do 40 MHz.