100-woltowe MOSFETy do zastosowań przemysłowych

Oferta tranzystorów MOSFET firmy Toshiba powiększyła się o dwa nowe modele, TPH3R70APL i TPN1200APL o napięciu przebicia 100 V, adresowane do aplikacji przemysłowych. Zostały one zrealizowane w procesie U-MOS IX-H trench, zapewniającym bardzo małą rezystancję kanału, w porównaniu z innymi tranzystorami tej klasy.

Wynosi ona dla TPH3R70APL i TPN1200APL odpowiednio 3,7 mΩ i 11,5 mΩ. Oba tranzystory charakteryzują się małym ładunkiem wyjściowym (QOSS odpowiednio 74/24 nC) oraz małym ładunkiem bramki (QSW: 21/7,5 nC).

Mogą być sterowane napięciem 4,5 V, bezpośrednio z wyjść układów logicznych. TPH3R70APL i TPN1200APL są zamykane w obudowach odpowiednio SOP (6 x 5 mm) i TSON (3 x 3 mm), umożliwiających przepływ prądów drenu do 90 i 40 A.