Półmostkowy moduł wysokonapięciowy IGBT o parametrach znamionowych 1700 V/250 A

Ze względu na zalety w postaci oszczędności energii, w ostatnich latach coraz popularniejsza staje się technologia 1200-woltowych półprzewodników produkowanych na podłożach SiC. Znajdują one zastosowanie m.in. w pojazdach elektrycznych i przemyśle. Nowy trend dążenia do uzyskania jak największej gęstości mocy zwiększył natomiast popyt na półprzewodniki 1700-woltowe, które ze względów niezawodnościowych są najczęściej realizowane w postaci tranzystorów IGBT.

Jednym z tego typu produktów jest nowy półmostkowy moduł wysokonapięciowy BSM250D17P2E004 firmy Rohm, przeznaczony do zastosowań w fotowoltaice, farmach wiatrowych, grzejnikach indukcyjnych i układach napędowych. Jest to moduł o parametrach znamionowych 1700 V/250 A (do 500 A w impulsie) i dużej niezawodności, zrealizowany na podłożu z węglika krzemu (SiC).

Projektując go zastosowano nowe techniki konstrukcyjne i materiały do powlekania powierzchni, zapewniające dużą odporność na przebicie i mały prąd upływu. W wyniku tego osiągnięto dużą niezawodność, zapewniającą brak przebić nawet po 1000-godzinnym teście w warunkach wysokich temperatur i wilgotności (HV-H3TRB).

Dzięki optymalizacji struktury oraz zintegrowaniu tranzystorów MOSFET i diod Schottky’ego realizowanych w technologii SiC, zapewniono mniejszą o około 10% rezystancję w stanie przewodzenia w porównaniu z innymi podzespołami SiC tej klasy, a w konsekwencji mniejsze straty mocy.