Tranzystory GaN FET 650 V do zasilaczy impulsowych klasy 80 PLUS Titanium o mocy >2 kW
Titanium jest najwyższą specyfikacją 80 PLUS, wymagającą zapewnienia sprawności przekraczającej 91% przy pełnym obciążeniu oraz >96% przy obciążeniu 50%. Osiągnięcie tego w aplikacjach serwerowych pracujących z mocą 2...10 kW, przy użyciu konwencjonalnych komponentów krzemowych, jest trudne. Nexperia zaprojektowała do tego typu zastosowań dwa nowe tranzystory GaN FET 2. generacji o napięciu znamionowym 650 V, zamykane w obudowach TO-247.
GAN063-650WSA i GAN041-650WSB to tranzystory o dużej niezawodności i stabilności, których maksymalna rezystancja RDS(on) wynosi odpowiednio 60 mΩ i 41 mΩ. Różnią się też ładunkiem regeneracji (Qrr), wynoszącym odpowiednio 125 nC i 150 nC. Zapewniają znacznie lepsze parametry elektrycznie nie tylko od tranzystorów GaN FET pierwszej generacji, ale również od odpowiedników z oferty innych producentów. Oprócz zasilaczy serwerowych i telekomunikacyjnych o dużej sprawności, tranzystory te mogą również znaleźć zastosowanie w serwonapędach i falownikach instalacji fotowoltaicznych o mocy do 10 kW.
W porównaniu z tranzystorami GaN FET pierwszej generacji, GAN063-650WSA i GAN041-650WSB charakteryzują się mniejszą o 36% powierzchnią struktury półprzewodnikowej przy identycznej rezystancji RDS(on). Zastosowana w nich konfiguracja kaskody eliminuje konieczność stosowania skomplikowanych stopni sterujących, skracając czas wprowadzania produktów na rynek. Oba tranzystory sprawdzają się bardzo dobrze w konfiguracjach hard-switching i soft-switching, zapewniają maksymalną elastyczność projektowania.
