Półmostkowe moduły mocy EasyDUAL CoolSiC oparte na podłożach z ceramiki z azotku glinu

Moduły mocy EasyDUAL CoolSiC MOSFET firmy Infineon są obecnie dostępne w wersjach opartych na podłożu z ceramiki z azotku glinu (AIN). Są produkowane w konfiguracji półmostkowej z tranzystorami o rezystancji RDS(on) równej 11 mΩ w przypadku wariantu w obudowie EasyDUAL 1B i 6 mΩ w przypadku wariantu EasyDUAL 2B. Mogą znaleźć zastosowanie w instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, falownikach, systemach przechowywania energii i ładowarkach pojazdów o napędzie elektrycznym.

Moduły FF11MR12W1M1_B70 i FF6MR12W2M1_B70 charakteryzują się napięciem znamionowym 1200 V. Zostały oparte na strukturach DCB (Direct Copper Bonding), zapewniających bardzo małą rezystancją termiczną złącze-radiator. Mogą dzięki temu pracować z większym prądem wyjściowym lub przy mniejszej temperaturze złącza niż wersje standardowe. Różnią się maksymalnym prądem wyjściowym, wynoszącym odpowiednio 100 A (I_DRM=200 A) i 200 A (I_DRM=400 A).