1200-woltowe moduły SiC MOSFET half-bridge do systemów ładowania pojazdów elektrycznych
Na targach APEC 2021 firma ON Semiconductor zaprezentowała dwa nowe moduły MOSFET wyprodukowane w technologii SiC, przeznaczone do zastosowań w systemach ładowania pojazdów elektrycznych. NXH010P120MNF i NXH006P120MNF2 to moduły półmostkowe o napięciu znamionowym 1200 V, produkowane w obudowach press-fit odpowiednio F1 i F2. Poza obudową różnią się rezystancją RDS(on), wynoszącą odpowiednio 10 mΩ i 6 mΩ oraz dopuszczalnym prądem ciągłym drenu (odpowiednio 114 A i 304 A @ TJ=175°C). Dzięki dużej powierzchni zapewniają mniejszą rezystancję termiczną od tranzystorów MOSFET produkowanych w procesie Trench, co obniża temperaturę pracy chipa. Zawierają wbudowane termistory NTC do monitorowania temperatury.
Moduły NXH010P120MNF i NXH006P120MNF2 mogą współpracować z wprowadzonym niedawno na rynek dwukanałowym sterownikiem bramek tranzystorów IGBT/MOSFET o symbolu NCD57252, zapewniającym izolację galwaniczną na poziomie 5 kV. Jest to układ zamykany w obudowie SOIC-16, akceptujący sygnały logiczne 3,3 V, 5 V i 15 V oraz zapewniający krótkie czasy propagacji na poziomie 60 ns.
