Nowe hybrydowe tranzystory IGBT 650 V z wbudowaną diodą SiC

Firma ROHM powiększyła serię hybrydowych tranzystorów IGBT RGWxx65C z wbudowaną 650-woltową diodą Schottky'ego o trzy nowe wersje zamykane w obudowach TO-247N. Są to tranzystory z kwalifikacją AEC-Q101, mogące znaleźć zastosowanie w aplikacjach motoryzacyjnych i przemysłowych dużej mocy, takich jak zasilacze UPS, układy kondycjonowania sygnału w instalacjach fotowoltaicznych oraz ładowarki akumulatorów i przetwornice DC-DC stosowane w pojazdach o napędzie elektrycznym i hybrydowym.

Tranzystory serii RGWxx65C zawierają małostratne diody Schottky'ego SiC o bardzo małych stratach przy przełączaniu. Dzięki małej energii regeneracji, pozwalają w układach ładowarek zredukować nawet do 67% straty mocy w porównaniu z klasycznymi tranzystorami IGBT oraz do 24% w porównaniu z superzłączowymi tranzystorami MOSFET.