Nowe hybrydowe tranzystory IGBT 650 V z wbudowaną diodą SiC

Produkt firmy:

Rohm

Firma ROHM powiększyła serię hybrydowych tranzystorów IGBT RGWxx65C z wbudowaną 650-woltową diodą Schottky'ego o trzy nowe wersje zamykane w obudowach TO-247N. Są to tranzystory z kwalifikacją AEC-Q101, mogące znaleźć zastosowanie w aplikacjach motoryzacyjnych i przemysłowych dużej mocy, takich jak zasilacze UPS, układy kondycjonowania sygnału w instalacjach fotowoltaicznych oraz ładowarki akumulatorów i przetwornice DC-DC stosowane w pojazdach o napędzie elektrycznym i hybrydowym.

Tranzystory serii RGWxx65C zawierają małostratne diody Schottky'ego SiC o bardzo małych stratach przy przełączaniu. Dzięki małej energii regeneracji, pozwalają w układach ładowarek zredukować nawet do 67% straty mocy w porównaniu z klasycznymi tranzystorami IGBT oraz do 24% w porównaniu z superzłączowymi tranzystorami MOSFET.

Zapytania ofertowe
Nowe hybrydowe tranzystory IGBT 650 V z wbudowaną diodą SiC
Zapytanie ofertowe
Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Nowe hybrydowe tranzystory IGBT 650 V z wbudowaną diodą SiC
Firma: Rohm
Kategoria: Podzespoły energoelektroniczne
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).