Tranzystory IGBT TRENCHSTOP 5 WR6 w obudowach TO-247-3-HCC o zwiększonym napięciu izolacji

Infineon prezentuje nową serię 650-woltowych tranzystorów IGBT, zamykanych w obudowach TO-247-3-HCC. Tranzystory TRENCHSTOP 5 WR6, dostępne w wersjach o prądzie znamionowym 20, 30, 40, 50, 60 i 70 A, mogą stanowić bezpośrednie zamienniki tranzystorów wcześniejszych serii TRENCHSTOP 5 WR5 i HighSpeed 3 H3 z oferty Infineon oraz odpowiedników z oferty innych producentów.

Są polecane do zastosowań w obwodach PFC m.in. spawarek i klimatyzatorów. Wyróżniają się bardzo małymi stratami na przewodzenie (30 A, 1,45 V @ 25°C) i przełączanie (30 A, 1,55 mJ @ 175°C) oraz bardzo małym napięciem nasycenia (V_CE(sat)=1,45 V). Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą o napięciu przewodzenia dostosowanym do aplikacji docelowych, co pozwala zarówno uzyskać optymalne parametry pracy, jak i zmniejszyć liczbę elementów współpracujących. Zmodyfikowana obudowa TO-247-3-HCC zapewnia większy odstęp izolacyjny, dłuższą drogę upływu oraz większe napięcie izolacji od wersji standardowej, co zwiększa odporność na zanieczyszczenia i kondensację wilgoci.